Chine Poudre SiC de haute pureté Fabricant, fournisseur, usine

VeTek Semiconductor est un pionnier de l'industrie spécialisé dans le développement, la production et la commercialisation de poudres de SiC de haute pureté, connues pour leur ultra haute pureté, leur répartition uniforme de la taille des particules et leur excellente structure cristalline. L'entreprise dispose d'une équipe de recherche et développement composée d'experts seniors pour promouvoir constamment l'innovation technologique. Grâce à une technologie et à des équipements de production avancés, la pureté, la taille des particules et les performances de la poudre SiC de haute pureté peuvent être contrôlées avec précision. Un contrôle qualité strict garantit que chaque lot répond aux normes industrielles les plus exigeantes, fournissant ainsi un matériau de base stable et fiable pour vos applications haut de gamme.

Avantages de la poudre SiC haute pureté VeTek Semiconductor :

1. Haute pureté : la teneur en SiC est de 99,9999 %, la teneur en impuretés est très faible, ce qui réduit l'impact négatif sur les performances des dispositifs semi-conducteurs et photovoltaïques et améliore la cohérence et la fiabilité des produits.

2. Excellentes propriétés physiques : y compris une dureté élevée, une résistance élevée et une résistance élevée à l'usure, de sorte qu'il puisse maintenir une bonne stabilité structurelle pendant le traitement et l'utilisation.

3. Conductivité thermique élevée : peut conduire rapidement la chaleur, aider à améliorer l'efficacité de dissipation thermique de l'appareil, réduire la température de fonctionnement, prolongeant ainsi la durée de vie de l'appareil.

4. Faible coefficient de dilatation : le changement de taille est faible lorsque la température change, réduisant ainsi la fissuration du matériau ou la baisse des performances causée par la dilatation et la contraction thermiques.

5. Bonne stabilité chimique : résistance à la corrosion acide et alcaline, peut rester stable dans un environnement chimique complexe.

6. Caractéristiques de bande interdite large: avec une intensité de champ électrique de claquage élevée et une vitesse de dérive de saturation électronique, adaptée à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs à haute température, haute pression, haute fréquence et haute puissance.

7. Haute mobilité électronique : elle favorise l’amélioration de la vitesse de travail et de l’efficacité des dispositifs semi-conducteurs.

8. Protection de l'environnement : Pollution relativement faible de l'environnement pendant le processus de production et d'utilisation.

La poudre SiC de haute pureté a les applications suivantes dans les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque :

Industrie des semi-conducteurs:

- Matériau du substrat : la poudre SiC de haute pureté peut être utilisée pour fabriquer un substrat en carbure de silicium, qui peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs électriques à haute fréquence, haute température et haute pression et des dispositifs RF.

Croissance épitaxiale : dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, la poudre de carbure de silicium de haute pureté peut être utilisée comme matière première pour la croissance épitaxiale, qui est utilisée pour faire croître des couches épitaxiales de carbure de silicium de haute qualité sur le substrat.

-Matériaux d'emballage : la poudre de carbure de silicium de haute pureté peut être utilisée pour fabriquer des matériaux d'emballage semi-conducteurs afin d'améliorer les performances de dissipation thermique et la fiabilité de l'emballage.

Industrie photovoltaïque :

Cellules de silicium cristallin : Dans le processus de fabrication de cellules de silicium cristallin, la poudre de carbure de silicium de haute pureté peut être utilisée comme source de diffusion pour la formation de jonctions p-n.

- Batterie à couche mince : Dans le processus de fabrication de la batterie à couche mince, de la poudre de carbure de silicium de haute pureté peut être utilisée comme cible pour le dépôt par pulvérisation cathodique d'un film de carbure de silicium.