Caractéristiques de l'épitaxie de silicium

Les caractéristiques de l'épitaxie de silicium sont les suivantes :

Haute pureté : la couche épitaxiale de silicium développée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) présente une pureté extrêmement élevée, une meilleure planéité de surface et une densité de défauts inférieure à celle des tranches traditionnelles.

Uniformité du film mince : L'épitaxie de silicium peut former un film mince très uniforme sous un certain taux de croissance garanti. En même temps, l'uniformité du chauffage peut être obtenue, réduisant ainsi les défauts de structure cristalline et améliorant la qualité du cristal.

Forte contrôlabilité : la technologie d'épitaxie du silicium peut contrôler avec précision la morphologie, la taille et la structure des matériaux en silicium, et peut développer des structures cristallines complexes, telles que des hétérojonctions multicouches.

Grand diamètre de tranche : la technologie de croissance épitaxiale du silicium permet de faire croître des tranches de silicium de grand diamètre, et la capacité de produire des tranches de silicium de grand diamètre est cruciale pour la production de semi-conducteurs.

Fiabilité du processus : Le processus d'épitaxie du silicium peut être réutilisé de nombreuses fois, ce qui revêt une grande importance pour la production en série de dispositifs semi-conducteurs.