Chine Pièces de rechange pour le processus de croissance monocristallin SiC Fabricant, fournisseur, usine

Le produit de VeTek Semiconductor, les produits de revêtement en carbure de tantale (TaC) pour le processus de croissance monocristallin SiC, relève les défis associés à l'interface de croissance des cristaux de carbure de silicium (SiC), en particulier les défauts complets qui se produisent au bord du cristal. En appliquant le revêtement TaC, nous visons à améliorer la qualité de la croissance des cristaux et à augmenter la surface efficace du centre du cristal, ce qui est crucial pour obtenir une croissance rapide et épaisse.

Le revêtement TaC est une solution technologique de base pour le développement du processus de croissance de monocristaux SiC de haute qualité. Nous avons développé avec succès une technologie de revêtement TaC utilisant le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), qui a atteint un niveau avancé au niveau international. Le TaC possède des propriétés exceptionnelles, notamment un point de fusion élevé allant jusqu'à 3 880 °C, une excellente résistance mécanique, une dureté et une résistance aux chocs thermiques. Il présente également une bonne inertie chimique et une bonne stabilité thermique lorsqu'il est exposé à des températures élevées et à des substances telles que l'ammoniac, l'hydrogène et la vapeur contenant du silicium.

Le revêtement en carbure de tantale (TaC) de VeTek Semiconductor offre une solution pour résoudre les problèmes liés aux bords du processus de croissance monocristallin SiC, améliorant ainsi la qualité et l'efficacité du processus de croissance. Grâce à notre technologie avancée de revêtement TaC, nous visons à soutenir le développement de l’industrie des semi-conducteurs de troisième génération et à réduire la dépendance à l’égard des matériaux clés importés.

Pièces de rechange pour le processus de croissance monocristalline SiC de méthode PVT :

Le creuset revêtu de TaC, le porte-graines avec revêtement TaC et l'anneau de guidage de revêtement TaC sont des pièces importantes dans le four monocristallin SiC et AIN par la méthode PVT.

Caractéristique clé:

-Résistance aux hautes températures

-Haute pureté, ne polluera pas les matières premières SiC et les monocristaux SiC.

-Résistant à la vapeur d'Al et à la corrosion N₂

-Haute température eutectique (avec AlN) pour raccourcir le cycle de préparation des cristaux.

-Recyclable (jusqu'à 200h), il améliore la durabilité et l'efficacité de la préparation de tels monocristaux.

Caractéristiques du revêtement TaC

Propriétés physiques typiques du revêtement Tac

Bague de dérivation revêtue de carbure de tantale Anneau de guidage de revêtement TaC Anneau de revêtement TaC Plaque revêtue de carbure de tantale Morceau enduit de TaC Tube de revêtement TaC