Chine Graphite poreux Fabricant, fournisseur, usine

Les producteurs de substrats SiC utilisent généralement une conception de creuset avec un cylindre en graphite poreux pour le processus en champ chaud. Cette conception augmente la zone d'évaporation et le volume de charge. Un nouveau procédé a été développé pour corriger les défauts cristallins, stabiliser le transfert de masse et améliorer la qualité des cristaux SiC. Il intègre une méthode de fixation du plateau de cristaux sans pépins pour la dilatation thermique et le soulagement des contraintes. Cependant, l’offre limitée du marché en graphite de creuset et en graphite poreux pose des défis en termes de qualité et de rendement des monocristaux de SiC.

Principales caractéristiques du graphite poreux à semi-conducteur VeTek :

1. Tolérance à l'environnement à haute température-le produit peut résister à un environnement de 2500 degrés Celsius, démontrant une excellente résistance à la chaleur.

2. Contrôle strict de la porosité – VeTek Semiconductor maintient un contrôle strict de la porosité, garantissant des performances constantes.

3. Ultra-haute pureté – Le matériau graphite poreux utilisé atteint un haut niveau de pureté grâce à des processus de purification rigoureux.

4.Excellente capacité de liaison des particules de surface - VeTek Semiconductor possède une excellente capacité de liaison des particules de surface et une excellente résistance à l'adhérence de la poudre.

5. Transport, diffusion et uniformité des gaz – La structure poreuse du graphite facilite le transport et la diffusion efficaces des gaz, ce qui entraîne une meilleure uniformité des gaz et des particules.

6. Contrôle qualité et stabilité – VeTek Semiconductor met l'accent sur une pureté élevée, une faible teneur en impuretés et une stabilité chimique pour garantir la qualité de la croissance cristalline.

7. Contrôle et uniformité de la température – La conductivité thermique du graphite poreux permet une répartition uniforme de la température, réduisant ainsi le stress et les défauts pendant la croissance.

8. Diffusion et taux de croissance améliorés du soluté – La structure poreuse favorise une distribution uniforme du soluté, améliorant ainsi le taux de croissance et l’uniformité des cristaux.