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Quelle est la différence entre les applications du carbure de silicium (SiC) et du nitrure de gallium (GaN) ? - Semi-conducteur VeTek

Le SiC et le GaN sont des semi-conducteurs à large bande interdite présentant des avantages par rapport au silicium, tels que des tensions de claquage plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et une efficacité supérieure. Le SiC est meilleur pour les applications haute tension et haute......

Principes et technologie du revêtement par dépôt physique en phase vapeur (PVD) (2/2) - VeTek Semiconductor

L'évaporation par faisceau d'électrons est une méthode de revêtement très efficace et largement utilisée par rapport au chauffage par résistance, qui chauffe le matériau d'évaporation avec un faisceau d'électrons, le faisant se vaporiser et se condenser en un film mince.

Principes et technologie du revêtement par dépôt physique en phase vapeur (1/2) - VeTek Semiconductor

Le revêtement sous vide comprend la vaporisation du matériau du film, le transport sous vide et la croissance de couches minces. Selon les différentes méthodes de vaporisation du matériau du film et les processus de transport, le revêtement sous vide peut être divisé en deux catégories : PVD et CVD.

Qu’est-ce que le graphite poreux ? - Semi-conducteur VeTek

Cet article décrit les paramètres physiques et les caractéristiques du produit du graphite poreux de VeTek Semiconductor, ainsi que ses applications spécifiques dans le traitement des semi-conducteurs.

Quelle est la différence entre les revêtements en carbure de silicium et en carbure de tantale ?

Cet article analyse les caractéristiques du produit et les scénarios d'application du revêtement en carbure de tantale et du revêtement en carbure de silicium sous plusieurs perspectives.

Une explication complète du processus de fabrication des puces (2/2) : du wafer au packaging et aux tests

Le dépôt de couches minces est vital dans la fabrication de puces, car il permet de créer des microdispositifs en déposant des films d'une épaisseur inférieure à 1 micron via CVD, ALD ou PVD. Ces processus construisent des composants semi-conducteurs en alternant des films conducteurs et isolants.

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