Nouvelles

Qu'est-ce que la croissance épitaxiale contrôlée par étapes？

Les problèmes dans le processus de gravure

La technologie de gravure dans la fabrication de semi-conducteurs rencontre souvent des problèmes tels que l'effet de charge, l'effet de micro-rainure et l'effet de charge, qui affectent la qualité du produit. Les solutions d'amélioration comprennent l'optimisation de la densité du plasma, l'ajustem......

Qu'est-ce que la céramique SiC pressée à chaud ?

Le frittage par pressage à chaud est la principale méthode de préparation de céramiques SiC hautes performances. Le processus de frittage par pressage à chaud comprend : la sélection de poudre de SiC de haute pureté, le pressage et le moulage à haute température et haute pression, puis le frittage. ......

Application de matériaux de champ thermique à base de carbone à la croissance de cristaux de carbure de silicium

Les principales méthodes de croissance du carbure de silicium (SiC) incluent le PVT, le TSSG et le HTCVD, chacune présentant des avantages et des défis distincts. Les matériaux de champ thermique à base de carbone tels que les systèmes d'isolation, les creusets, les revêtements TaC et le graphite po......

Pourquoi le revêtement SiC reçoit-il autant d’attention ? - Semi-conducteur VeTek

Le SiC présente une dureté, une conductivité thermique et une résistance à la corrosion élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement CVD SiC est créé par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique et une c......

Pourquoi le 3C-SiC se démarque-t-il parmi les nombreux polymorphes du SiC ? - Semi-conducteur VeTek

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur de haute précision connu pour ses excellentes propriétés telles que la résistance aux températures élevées, la résistance à la corrosion et la résistance mécanique élevée. Il possède plus de 200 structures cristallines, le 3C-SiC étant le ......