Substrat SiC de type semi-isolant 4H

Le SiC semi-isolant Vetek Semiconductor 4H joue plusieurs rôles clés dans le processus de traitement des semi-conducteurs. Combiné avec sa résistivité élevée, sa conductivité thermique élevée, sa large bande interdite et d'autres propriétés, il est largement utilisé dans les domaines haute fréquence, haute puissance et haute température, en particulier dans les applications micro-ondes et RF. C'est un composant indispensable dans le processus de fabrication des semi-conducteurs.

La résistivité du substrat SiC de type semi-isolant Vetek Semiconductor 4H est généralement comprise entre 10^6 Ω·cm et 10^9 Ω·cm. Cette résistivité élevée peut supprimer les courants parasites et réduire les interférences de signaux, en particulier dans les applications haute fréquence et haute puissance. Plus important encore, la résistivité élevée du substrat SiC de type SI 4H présente un courant de fuite extrêmement faible à haute température et haute pression, ce qui peut garantir la stabilité et la fiabilité du dispositif.

L'intensité du champ électrique de claquage du substrat SiC de type 4H SI atteint 2,2 à 3,0 MV/cm, ce qui détermine que le substrat SiC de type 4H SI peut résister à des tensions plus élevées sans panne, le produit est donc très approprié pour travailler sous conditions de haute tension et de puissance élevée. Plus important encore, le substrat SiC de type 4H SI présente une large bande interdite d'environ 3,26 eV, de sorte que le produit peut maintenir d'excellentes performances d'isolation à haute température et haute tension et réduire le bruit électronique.

De plus, la conductivité thermique du substrat SiC de type 4H SI est d'environ 4,9 W/cm·K, ce produit peut donc réduire efficacement le problème de l'accumulation de chaleur dans les applications à haute puissance et prolonger la durée de vie du dispositif. Convient aux appareils électroniques dans des environnements à haute température.

En faisant croître une couche épitaxiale de GaN sur un substrat semi-isolant en carbure de silicium, la plaquette épitaxiale de GaN à base de carbure de silicium peut ensuite être transformée en dispositifs radiofréquence micro-ondes tels que HEMT, qui sont utilisés dans la communication d'informations, la détection radio et d'autres domaines.

Vetek Semiconductor recherche constamment une qualité de cristal et de traitement supérieure pour répondre aux besoins des clients. Actuellement, des produits de 4 et 6 pouces sont disponibles et des produits de 8 pouces sont en cours de développement. 

Substrat SiC semi-isolant SPÉCIFICATIONS DE BASE DU PRODUIT:

SPÉCIFICATIONS DE QUALITÉ DU CRISTAL DU Substrat SiC Semi-Isolant:

Méthode et terminologie de détection de substrat SiC de type semi-isolant 4H: