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Mandrin de plaquette en carbure de silicium
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Mandrin de plaquette en carbure de silicium

En tant que fabricant et fournisseur leader de produits de mandrins pour plaquettes en carbure de silicium en Chine, le mandrin pour plaquettes en carbure de silicium de VeTek Semiconductor joue un rôle irremplaçable dans le processus de croissance épitaxiale grâce à son excellente résistance aux températures élevées, à la corrosion chimique et aux chocs thermiques. Bienvenue à votre consultation ultérieure.

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Description du produit

Le mandrin de plaquette en carbure de silicium VeTek Semiconductor utilise les excellentes propriétés des matériaux en carbure de silicium pour répondre aux exigences strictes de la production de semi-conducteurs, en particulier dans le traitement des semi-conducteurs qui nécessite une précision et une fiabilité extrêmement élevées.


Dans le processus de traitement des semi-conducteurs,Carbure de siliciuma une excellente résistance aux températures élevées (peut fonctionner de manière stable jusqu'à 1 400 °C), une faible conductivité (le SiC a une conductivité relativement faible, généralement 10^-3S/m) et faible coefficient de dilatation thermique (environ 4,0 × 10^-6/°C), qui est un matériau indispensable et important, particulièrement adapté à la fabrication de mandrins à plaquettes en carbure de silicium.


Pendant leprocessus de croissance épitaxiale, une fine couche de matériau semi-conducteur est déposée sur un substrat, exigeant une stabilité absolue de la part de la tranche pour garantir des couches de dépôt de film uniformes et de haute qualité. Le mandrin à vide SiC y parvient en créant un maintien sous vide ferme et constant pour empêcher tout mouvement ou déformation de la plaquette.


Le mandrin à plaquettes en carbure de silicium offre également une excellente résistance aux chocs thermiques. Les changements rapides de température sont courants dans la fabrication de semi-conducteurs, et les matériaux qui ne peuvent pas résister à ces fluctuations peuvent se fissurer, se plier ou échouer. Le carbure de silicium a un faible coefficient de dilatation thermique et peut conserver sa forme et sa fonction même en cas de changements de température drastiques, garantissant ainsi que la tranche reste sécurisée pendant le processus d'épitaxie sans mouvement ni désalignement.


De plus, leprocédé d'épitaxieimplique souvent des gaz réactifs et d’autres produits chimiques corrosifs. L'inertie chimique du SiC Wafer Chuck garantit qu'il n'est pas affecté par ces environnements difficiles, conservant ainsi ses performances et prolongeant sa durée de vie. Cette durabilité chimique réduit non seulement la fréquence de remplacement du mandrin de plaquette, mais garantit également des performances constantes du produit sur plusieurs cycles de production, contribuant ainsi à améliorer l'efficacité globale et la rentabilité du processus de fabrication des semi-conducteurs.


VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et fournisseurs de produits de mandrins pour plaquettes en carbure de silicium en Chine. Nous pouvons fournir différents types de produits Chuck tels queMandrin en céramique SiC poreux, Mandrin à vide SiC poreux, Mandrin à vide en céramique poreuseetMandrin à revêtement TaC, etc. VeTek Semiconductor s'engage à fournir des technologies et des solutions de produits avancées pour l'industrie des semi-conducteurs. Nous espérons sincèrement devenir votre partenaire à long terme en Chine.

DONNÉES SEM DE MCVSTRUCTURE CRISTALLINE DU FILM SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


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