Plaquette de silicium sur isolant

VeTek Semiconductor est un fabricant chinois professionnel de plaquettes de silicium sur isolant, de bases planétaires ALD et de bases en graphite revêtues de TaC. La plaquette de silicium sur isolant de VeTek Semiconductor est un matériau de substrat semi-conducteur important, et ses excellentes caractéristiques de produit lui permettent de jouer un rôle clé dans les applications hautes performances, faible consommation, haute intégration et RF. Nous sommes impatients de poursuivre notre coopération avec vous.

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Description du produit

Le principe de fonctionnement deSemi-conducteur VeTekc'estPlaquette de silicium sur isolantrepose principalement sur sa structure unique et ses propriétés matérielles. Et plaquette SOIse compose de trois couches : la couche supérieure est une couche de dispositif en silicium monocristallin, la couche intermédiaire est une couche isolante Buried OXide (BOX) et la couche inférieure est un substrat de support en silicium.

Formation de la couche isolante: La plaquette de silicium sur isolant est généralement fabriquée à l'aide de la technologie Smart Cut™ ou SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). La technologie Smart Cut™ injecte des ions hydrogène dans la plaquette de silicium pour former une couche de bulles, puis lie la plaquette injectée d'hydrogène à la plaquette de silicium de support. Après traitement thermique, la tranche injectée d’hydrogène est séparée de la couche de bulles pour former une structure SOI. La technologie SIMOX implante des ions oxygène à haute énergie dans des tranches de silicium pour former une couche d'oxyde de silicium à haute température.

Réduire la capacité parasite: La couche BOX duPlaquette de silicium sur isolantisole efficacement la couche du dispositif et le silicium de base, réduisant considérablement la capacité parasite. Cette isolation réduit la consommation d'énergie et augmente la vitesse et les performances de l'appareil.

Éviter les effets de verrouillage: Les appareils n-well et p-well dans leplaquette SOIsont complètement isolés, évitant ainsi l'effet de verrouillage des structures CMOS traditionnelles. Cela permetPlaquette de silicium sur isolant être fabriqués à des vitesses plus élevées.

Fonction d'arrêt de gravure: La couche de dispositif en silicium monocristallin et la structure de couche BOX de la plaquette SOI facilitent la fabrication de MEMS et de dispositifs optoélectroniques, offrant une excellente fonction d'arrêt de gravure.

Grâce à ces caractéristiques,Plaquette de silicium sur isolantjoue un rôle important dans le traitement des semi-conducteurs et favorise le développement continu des industries des circuits intégrés (CI) et des systèmes microélectromécaniques (MEMS). Nous attendons sincèrement avec impatience de poursuivre la communication et la coopération avec vous.

Paramètre du produit：