Connaissez-vous le suscepteur MOCVD ?

Dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), le sucepteur est un composant clé chargé de soutenir la tranche et d'assurer l'uniformité et le contrôle précis du processus de dépôt. Sa sélection de matériaux et ses caractéristiques de produit affectent directement la stabilité du processus d'épitaxie et la qualité du produit.

Accepteur MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) est un élément clé du processus de fabrication de semi-conducteurs. Il est principalement utilisé dans le procédé MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) pour soutenir et chauffer la tranche en vue du dépôt de couches minces. La conception et la sélection des matériaux du sucepteur sont cruciales pour l'uniformité, l'efficacité et la qualité du produit final.

Type de produit et sélection des matériaux :

La conception et la sélection des matériaux du suscepteur MOCVD sont diverses, généralement déterminées par les exigences du processus et les conditions de réaction.Voici les types de produits courants et leurs matériaux:

Suscepteur revêtu de SiC(Suscepteur recouvert de carbure de silicium):

Description : Suscepteur avec revêtement SiC, avec du graphite ou d'autres matériaux à haute température comme substrat, et un revêtement CVD SiC (CVD SiC Coating) sur la surface pour améliorer sa résistance à l'usure et à la corrosion.

Application : Largement utilisé dans les processus MOCVD dans des environnements gazeux à haute température et hautement corrosifs, en particulier dans l'épitaxie du silicium et le dépôt de semi-conducteurs composés.

Suscepteur enduit de TaC:

Description : Le suscepteur avec revêtement TaC (CVD TaC Coating) comme matériau principal présente une dureté et une stabilité chimique extrêmement élevées et convient à une utilisation dans des environnements extrêmement corrosifs.

Application : Utilisé dans les processus MOCVD qui nécessitent une résistance à la corrosion et une résistance mécanique plus élevées, tels que le dépôt de nitrure de gallium (GaN) et d'arséniure de gallium (GaAs).

Suscepteur en graphite recouvert de carbure de silicium pour MOCVD:

Description : Le substrat est en graphite et la surface est recouverte d'une couche de revêtement CVD SiC pour garantir la stabilité et une longue durée de vie à haute température.

Application : Convient pour une utilisation dans des équipements tels que les réacteurs Aixtron MOCVD pour fabriquer des matériaux semi-conducteurs composés de haute qualité.

Récepteur EPI (récepteur d'épitaxie):

Description : Suscepteur spécialement conçu pour le processus de croissance épitaxiale, généralement avec un revêtement SiC ou TaC pour améliorer sa conductivité thermique et sa durabilité.

Application : En épitaxie de silicium et d’épitaxie de semi-conducteurs composés, il est utilisé pour assurer un chauffage et un dépôt uniformes des tranches.

Rôle principal du suscepteur pour MOCVD dans le traitement des semi-conducteurs:

Support de plaquette et chauffage uniforme:

Fonction : le suscepteur est utilisé pour soutenir les tranches dans les réacteurs MOCVD et assurer une distribution uniforme de la chaleur par chauffage par induction ou d'autres méthodes pour garantir un dépôt uniforme du film.

Conduction thermique et stabilité:

Fonction : La conductivité thermique et la stabilité thermique des matériaux Susceptor sont cruciales. Le suscepteur à revêtement SiC et le suscepteur à revêtement TaC peuvent maintenir la stabilité dans les processus à haute température en raison de leur conductivité thermique élevée et de leur résistance à haute température, évitant ainsi les défauts de film causés par une température inégale.

Résistance à la corrosion et longue durée de vie:

Fonction : Dans le processus MOCVD, le suscepteur est exposé à divers gaz précurseurs chimiques. Les revêtements SiC et TaC offrent une excellente résistance à la corrosion, réduisent l'interaction entre la surface du matériau et le gaz de réaction et prolongent la durée de vie du suscepteur.

Optimisation de l'environnement de réaction:

Fonction : En utilisant des suscepteurs de haute qualité, le débit de gaz et le champ de température dans le réacteur MOCVD sont optimisés, garantissant un processus de dépôt de film uniforme et améliorant le rendement et les performances de l'appareil. Il est généralement utilisé dans les suscepteurs des réacteurs MOCVD et des équipements Aixtron MOCVD.

Caractéristiques du produit et avantages techniques：

Conductivité thermique élevée et stabilité thermique:

Caractéristiques : Les suscepteurs à revêtement SiC et TaC ont une conductivité thermique extrêmement élevée, peuvent distribuer rapidement et uniformément la chaleur et maintenir la stabilité structurelle à haute température pour garantir un chauffage uniforme des plaquettes.

Avantages : Convient aux processus MOCVD qui nécessitent un contrôle précis de la température, tels que la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés tels que le nitrure de gallium (GaN) et l'arséniure de gallium (GaAs).

Excellente résistance à la corrosion:

Caractéristiques : Le revêtement CVD SiC et le revêtement CVD TaC ont une inertie chimique extrêmement élevée et peuvent résister à la corrosion causée par des gaz hautement corrosifs tels que les chlorures et les fluorures, protégeant ainsi le substrat du Susceptor des dommages.

Avantages : prolongez la durée de vie du Susceptor, réduisez la fréquence de maintenance et améliorez l'efficacité globale du processus MOCVD.

Haute résistance mécanique et dureté:

Caractéristiques : La dureté élevée et la résistance mécanique des revêtements SiC et TaC permettent au Susceptor de résister aux contraintes mécaniques dans des environnements à haute température et haute pression et de maintenir une stabilité et une précision à long terme.

Avantages : Particulièrement adapté aux processus de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une haute précision, tels que la croissance épitaxiale et le dépôt chimique en phase vapeur.

Application du marché et perspectives de développement

Sucepteurs du MOCVDsont largement utilisés dans la fabrication de LED haute luminosité, de dispositifs électroniques de puissance (tels que les HEMT à base de GaN), de cellules solaires et d'autres dispositifs optoélectroniques. Avec la demande croissante de dispositifs semi-conducteurs plus performants et à faible consommation d'énergie, la technologie MOCVD continue de progresser, stimulant l'innovation dans les matériaux et les conceptions de Susceptor. Par exemple, développer une technologie de revêtement SiC avec une pureté plus élevée et une densité de défauts plus faible, et optimiser la conception structurelle de Susceptor pour s'adapter à des tranches plus grandes et à des processus d'épitaxie multicouches plus complexes.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD est l'un des principaux fournisseurs de matériaux de revêtement avancés pour l'industrie des semi-conducteurs. notre entreprise se concentre sur le développement de solutions de pointe pour l’industrie.

Nos principales offres de produits comprennent les revêtements CVD en carbure de silicium (SiC), les revêtements en carbure de tantale (TaC), le SiC en vrac, les poudres de SiC et les matériaux SiC de haute pureté, le suscepteur en graphite revêtu de SiC, les anneaux de préchauffage, l'anneau de dérivation revêtu de TaC, les pièces en demi-lune, etc. ., la pureté est inférieure à 5 ppm, peut répondre aux exigences des clients.

VeTek semiconductor se concentre sur le développement de technologies de pointe et de solutions de développement de produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Nous espérons sincèrement devenir votre partenaire à long terme en Chine.