Suscepteur MOCVD à revêtement SiC

Le suscepteur MOCVD à revêtement SiC de VeTek Semiconductor est un dispositif doté d'un processus, d'une durabilité et d'une fiabilité excellents. Ils peuvent résister à des températures élevées et aux environnements chimiques, maintenir des performances stables et une longue durée de vie, réduisant ainsi la fréquence de remplacement et de maintenance et améliorant l'efficacité de la production. Notre suscepteur épitaxial MOCVD est réputé pour sa haute densité, son excellente planéité et son excellent contrôle thermique, ce qui en fait l'équipement préféré dans les environnements de fabrication difficiles. Au plaisir de coopérer avec vous.

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Description du produit

Trouvez une vaste sélection de revêtements SiCAccepteur MOCVDde Chine chez VeTek Semiconductor. Fournir un service après-vente professionnel et le bon prix, dans l'attente de la coopération.

VeTek Semi-conducteursSuscepteurs épitaxiaux MOCVDsont conçus pour résister aux environnements à haute température et aux conditions chimiques difficiles courantes dans le processus de production de plaquettes. Grâce à une ingénierie de précision, ces composants sont conçus pour répondre aux exigences strictes des systèmes de réacteurs épitaxiaux. Nos suscepteurs épitaxiaux MOCVD sont constitués de substrats en graphite de haute qualité recouverts d'une couche decarbure de silicium (SiC), qui présente non seulement une excellente résistance aux températures élevées et à la corrosion, mais assure également une répartition uniforme de la chaleur, ce qui est essentiel au maintien d'un dépôt de film épitaxial cohérent.

De plus, nos suscepteurs semi-conducteurs ont d'excellentes performances thermiques, ce qui permet un contrôle rapide et uniforme de la température afin d'optimiser le processus de croissance des semi-conducteurs. Ils sont capables de résister aux températures élevées, à l’oxydation et à la corrosion, garantissant un fonctionnement fiable même dans les environnements d’exploitation les plus difficiles.

De plus, les suscepteurs MOCVD à revêtement SiC sont conçus en mettant l'accent sur l'uniformité, ce qui est essentiel pour obtenir des substrats monocristallins de haute qualité. L'obtention d'une planéité est essentielle pour obtenir une excellente croissance monocristalline à la surface de la tranche.

Chez VeTek Semiconductor, notre passion pour dépasser les normes de l'industrie est aussi importante que notre engagement en faveur de la rentabilité pour nos partenaires. Nous nous efforçons de fournir des produits tels que le suscepteur épitaxial MOCVD pour répondre aux besoins en constante évolution de la fabrication de semi-conducteurs et d'anticiper ses tendances de développement pour garantir que votre opération soit équipée des outils les plus avancés. Nous sommes impatients de construire un partenariat à long terme avec vous et de vous fournir des solutions de qualité.

Paramètre de produit du Suscepteur MOCVD à revêtement SiC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m^-1·K^-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1