Accepteur MOCVD

Vetek Semiconductor se concentre sur la recherche, le développement et l'industrialisation des revêtements CVD SiC et CVD TaC. En prenant le suscepteur MOCVD comme exemple, le produit est hautement traité avec un revêtement CVD SIC dense de haute précision, une résistance à haute température et une forte résistance à la corrosion. Une enquête sur nous est la bienvenue.

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Description du produit

En tant que fabricant de revêtement CVD SiC, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir des suscepteurs Aixtron G5 MOCVD qui sont constitués de graphite de haute pureté et d'un revêtement CVD SiC (inférieur à 5 ppm).

Bienvenue à nous enquêter.

La technologie des micro LED bouleverse l'écosystème LED existant avec des méthodes et des approches qui n'étaient jusqu'à présent observées que dans les industries des écrans LCD ou des semi-conducteurs, et le système Aixtron G5 MOCVD répond parfaitement à ces exigences d'extension strictes. L'Aixtron G5 est un puissant réacteur MOCVD conçu principalement pour la croissance par épitaxie GaN à base de silicium.

Il est essentiel que toutes les tranches épitaxiales produites aient une distribution de longueur d'onde très étroite et des niveaux de défauts de surface très faibles, ce qui nécessite une technologie MOCVD innovante.

Aixtron G5 est un système d'épitaxie à disque planétaire horizontal, principalement un disque planétaire, un suscepteur MOCVD, un anneau de couverture, un plafond, un anneau de support, un disque de couverture, un collecteur d'échappement, une rondelle à broches, un anneau d'entrée de collecteur, etc. Les principaux matériaux du produit sont le revêtement CVD SiC+ graphite de haute pureté, quartz semi-conducteur, revêtement CVD TaC + graphite de haute pureté, feutre rigide et autres matériaux.

Les fonctionnalités du suscepteur MOCVD sont les suivantes :

Protection du matériau de base : le revêtement CVD SiC agit comme une couche protectrice dans le processus épitaxial, ce qui peut empêcher efficacement l'érosion et les dommages de l'environnement externe au matériau de base, fournir des mesures de protection fiables et prolonger la durée de vie de l'équipement.

Excellente conductivité thermique : le revêtement CVD SiC a une excellente conductivité thermique et peut transférer rapidement la chaleur du matériau de base à la surface du revêtement, améliorant ainsi l'efficacité de la gestion thermique pendant l'épitaxie et garantissant que l'équipement fonctionne dans la plage de température appropriée.

Améliorer la qualité du film : le revêtement CVD SiC peut fournir une surface plane et uniforme, fournissant une bonne base pour la croissance du film. Il peut réduire les défauts provoqués par une disparité de réseau, améliorer la cristallinité et la qualité du film, et ainsi améliorer les performances et la fiabilité du film épitaxial.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1