Dans la croissance de monocristaux de SiC et d'AlN à l'aide de la méthode de transport physique de vapeur (PVT), des composants cruciaux tels que le creuset, le porte-graines et l'anneau de guidage jouent un rôle essentiel. Comme le montre la figure 2 [1], au cours du processus PVT, le germe cristal......
En savoir plusLes substrats en carbure de silicium présentent de nombreux défauts et ne peuvent pas être traités directement. Un film mince monocristallin spécifique doit être développé dessus via un processus épitaxial pour fabriquer des plaquettes de puce. Ce film mince constitue la couche épitaxiale. Presque t......
En savoir plusLe matériau de la couche épitaxiale de carbure de silicium est du carbure de silicium, qui est généralement utilisé pour fabriquer des dispositifs électroniques et des LED de haute puissance. Il est largement utilisé dans l’industrie des semi-conducteurs en raison de son excellente stabilité thermiq......
En savoir plusHaute pureté : la couche épitaxiale de silicium développée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) présente une pureté extrêmement élevée, une meilleure planéité de surface et une densité de défauts inférieure à celle des tranches traditionnelles.
En savoir plusLe carbure de silicium solide possède d'excellentes propriétés telles qu'une stabilité à haute température, une dureté élevée, une bonne résistance à l'abrasion et une bonne stabilité chimique, il a donc une large gamme d'applications. Voici quelques applications du carbure de silicium solide :
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