Qu'est-ce que le revêtement CVD TAC ?

Comme nous le savons tous,TaCa un point de fusion allant jusqu'à 3880°C, une résistance mécanique, une dureté et une résistance aux chocs thermiques élevées ; bonne inertie chimique et stabilité thermique à l'ammoniac, à l'hydrogène et aux vapeurs contenant du silicium à haute température.

Revêtement CVD-TAC, dépôt chimique en phase vapeur (CVD) derevêtement en carbure de tantale (TaC), est un procédé permettant de former un revêtement haute densité et durable sur un substrat (généralement du graphite). Cette méthode consiste à déposer du TaC sur la surface du substrat à haute température, ce qui donne un revêtement présentant une excellente stabilité thermique et résistance chimique.

Les principaux avantages des revêtements CVD TaC sont les suivants :

Stabilité thermique extrêmement élevée: peut supporter des températures supérieures à 2200°C.

Résistance chimique: peut résister efficacement aux produits chimiques agressifs tels que l'hydrogène, l'ammoniac et la vapeur de silicium.

Forte adhérence: assure une protection longue durée sans délaminage.

Haute pureté: minimise les impuretés, ce qui le rend idéal pour les applications de semi-conducteurs.

Ces revêtements sont particulièrement adaptés aux environnements qui nécessitent une durabilité et une résistance élevées aux conditions extrêmes, tels que la fabrication de semi-conducteurs et les processus industriels à haute température.

Dans la production industrielle, les matériaux en graphite (composite carbone-carbone) recouverts d'un revêtement TaC sont très susceptibles de remplacer le graphite traditionnel de haute pureté, le revêtement pBN, les pièces avec revêtement SiC, etc. De plus, dans le domaine de l'aérospatiale, le TaC a un grand potentiel pour être utilisé comme revêtement anti-oxydation et anti-ablation à haute température et a de larges perspectives d'application. Cependant, il reste encore de nombreux défis à relever pour parvenir à la préparation d’un revêtement TaC dense, uniforme et non écaillé sur la surface du graphite et promouvoir une production industrielle de masse.

Dans ce processus, l'exploration du mécanisme de protection du revêtement, l'innovation dans le processus de production et la concurrence avec le plus haut niveau étranger sont cruciaux pour la croissance et l'épitaxie des cristaux semi-conducteurs de troisième génération.