VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs de pièces demi-lune de 8 pouces pour réacteur LPE en Chine. Nous sommes spécialisés dans les matériaux de revêtement SiC depuis de nombreuses années. Nous proposons une pièce demi-lune de 8 pouces pour réacteur LPE conçue spécifiquement pour le réacteur d'épitaxie LPE SiC. Cette pièce en demi-lune constitue une solution polyvalente et efficace pour la fabrication de semi-conducteurs avec sa taille optimale, sa compatibilité et sa productivité élevée. Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine.
En tant que fabricant professionnel, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir une pièce demi-lune de 8 pouces de haute qualité pour le réacteur LPE.
La pièce demi-lune VeTek Semiconductor de 8 pouces pour réacteur LPE est un composant essentiel utilisé dans les processus de fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans les équipements épitaxiaux SiC. VeTek Semiconductor utilise une technologie brevetée pour produire des pièces en demi-lune de 8 pouces pour le réacteur LPE, garantissant ainsi une pureté exceptionnelle, un revêtement uniforme et une longévité exceptionnelle. De plus, ces pièces présentent des propriétés remarquables de résistance chimique et de stabilité thermique.
Le corps principal de la partie demi-lune de 8 pouces pour réacteur LPE est fabriqué à partir de graphite de haute pureté, qui offre une excellente conductivité thermique et stabilité mécanique. Le graphite de haute pureté est choisi pour sa faible teneur en impuretés, garantissant une contamination minimale pendant le processus de croissance épitaxiale. Sa robustesse lui permet de résister aux conditions exigeantes au sein du réacteur LPE.
Les pièces demi-lune en graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor sont fabriquées avec la plus grande précision et une attention aux détails. La grande pureté des matériaux utilisés garantit des performances et une fiabilité supérieures dans la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement uniforme de ces pièces garantit un fonctionnement constant et efficace tout au long de leur durée de vie.
L'un des principaux avantages de nos pièces demi-lune en graphite revêtu de SiC est leur excellente résistance chimique. Ils peuvent résister à la nature corrosive de l’environnement de fabrication des semi-conducteurs, garantissant ainsi une durabilité durable et minimisant le besoin de remplacements fréquents. De plus, leur stabilité thermique exceptionnelle leur permet de conserver leur intégrité structurelle et leur fonctionnalité dans des conditions de haute température.
Nos pièces demi-lune en graphite revêtu de SiC ont été méticuleusement conçues pour répondre aux exigences strictes des équipements épitaxiaux SiC. Grâce à leurs performances fiables, ces pièces contribuent au succès des procédés de croissance épitaxiale, permettant le dépôt de films SiC de haute qualité.
Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC | |
Propriété | Valeur typique |
Structure en cristal | Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111) |
Densité | 3,21 g/cm³ |
Dureté | Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g) |
Taille d'un grain | 2~10μm |
Pureté chimique | 99,99995% |
Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
Température de sublimation | 2700 ℃ |
Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
Module d'Young | Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Conductivité thermique | 300W·m-1·K-1 |
Expansion thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |