Anneau de préchauffage

VeTek Semiconductor est un innovateur en matière de fabricant de revêtements SiC en Chine. L'anneau de préchauffage fourni par VeTek Semiconductor est conçu pour le processus d'épitaxie. Le revêtement uniforme en carbure de silicium et le graphite haut de gamme comme matières premières garantissent un dépôt cohérent et améliorent la qualité et l'uniformité de la couche épitaxiale. Nous sommes impatients d'établir une coopération à long terme avec vous.

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Description du produit

L'anneau de préchauffage est un équipement clé spécialement conçu pour le processus d'épitaxie (EPI) dans la fabrication de semi-conducteurs. Il est utilisé pour préchauffer les tranches avant le processus EPI, garantissant ainsi la stabilité et l'uniformité de la température tout au long de la croissance épitaxiale.

Fabriqué par VeTek Semiconductor, notre anneau de préchauffage EPI offre plusieurs caractéristiques et avantages notables. Premièrement, il est construit à l’aide de matériaux à haute conductivité thermique, permettant un transfert de chaleur rapide et uniforme vers la surface de la tranche. Cela évite la formation de points chauds et de gradients de température, garantissant un dépôt cohérent et améliorant la qualité et l'uniformité de la couche épitaxiale.

De plus, notre anneau de préchauffage EPI est équipé d'un système avancé de contrôle de la température, permettant un contrôle précis et cohérent de la température de préchauffage. Ce niveau de contrôle améliore la précision et la répétabilité des étapes cruciales telles que la croissance des cristaux, le dépôt de matériaux et les réactions d'interface au cours du processus EPI.

La durabilité et la fiabilité sont des aspects essentiels de la conception de nos produits. L'anneau de préchauffage EPI est conçu pour résister à des températures et des pressions de fonctionnement élevées, maintenant ainsi la stabilité et les performances sur des périodes prolongées. Cette approche de conception réduit les coûts de maintenance et de remplacement, garantissant ainsi une fiabilité et une efficacité opérationnelle à long terme.

L'installation et le fonctionnement de l'anneau de préchauffage EPI sont simples, car il est compatible avec les équipements EPI courants. Il est doté d'un mécanisme convivial de placement et de récupération des plaquettes, améliorant ainsi la commodité et l'efficacité opérationnelle.

Chez VeTek Semiconductor, nous proposons également des services de personnalisation pour répondre aux exigences spécifiques des clients. Cela inclut l'adaptation de la taille, de la forme et de la plage de température de l'anneau de préchauffage EPI pour s'aligner sur les besoins de production uniques.

Pour les chercheurs et les fabricants impliqués dans la croissance épitaxiale et la production de dispositifs à semi-conducteurs, l'anneau de préchauffage EPI de VeTek Semiconductor offre des performances exceptionnelles et un support fiable. Il constitue un outil essentiel pour obtenir une croissance épitaxiale de haute qualité et faciliter des processus de fabrication efficaces de dispositifs semi-conducteurs.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1