Suscepteur planétaire ALD

Processus ALD, signifie processus d'épitaxie de couche atomique. Les fabricants de Vetek Semiconductor et de systèmes ALD ont développé et produit des suscepteurs planétaires ALD à revêtement SiC qui répondent aux exigences élevées du processus ALD pour répartir uniformément le flux d'air sur le substrat. Dans le même temps, le revêtement CVD SiC de haute pureté de Vetek Semiconductor garantit la pureté du processus. Bienvenue pour discuter de la coopération avec nous.

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Description du produit

En tant que fabricant professionnel, Vetek Semiconductor souhaite vous fournir un suscepteur planétaire ALD revêtu de SiC.

Le procédé ALD, connu sous le nom d'épitaxie de couche atomique, constitue le summum de la précision dans la technologie de dépôt de couches minces. Vetek Semiconductor, en collaboration avec les principaux fabricants de systèmes ALD, a été pionnier dans le développement et la fabrication de suscepteurs planétaires ALD de pointe à revêtement SiC. Ces suscepteurs innovants ont été méticuleusement conçus pour dépasser les exigences strictes du processus ALD, garantissant une répartition uniforme du flux d'air sur le substrat avec une précision et une efficacité inégalées.

De plus, l'engagement de Vetek Semiconductor envers l'excellence est incarné par l'utilisation de revêtements CVD SiC de haute pureté, garantissant un niveau de pureté crucial pour le succès de chaque cycle de dépôt. Cet engagement envers la qualité améliore non seulement la fiabilité des processus, mais élève également les performances globales et la reproductibilité des processus ALD dans diverses applications.

Avantages de la technologie ALD

Contrôle précis de l'épaisseur : obtenez une épaisseur de film inférieure au nanomètre avec une excellente répétabilité en contrôlant les cycles de dépôt.

Lisse de la surface : une conformité 3D parfaite et une couverture à 100 % des marches garantissent des revêtements lisses qui suivent complètement la courbure du substrat.

Large applicabilité : peut être enduit sur divers objets, des plaquettes aux poudres, adapté aux substrats sensibles.

Propriétés des matériaux personnalisables : personnalisation facile des propriétés des matériaux pour les oxydes, les nitrures, les métaux, etc.

Large fenêtre de traitement : insensibilité aux variations de température ou de précurseurs, propice à la production par lots avec une parfaite uniformité de l'épaisseur du revêtement.

Nous vous invitons cordialement à engager un dialogue avec nous pour explorer des collaborations et des partenariats potentiels. Ensemble, nous pouvons ouvrir de nouvelles possibilités et stimuler l’innovation dans le domaine de la technologie de dépôt de couches minces.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1