Suscepteur ALD à revêtement SiC

Semi-conducteur VeTekSuscepteur ALD à revêtement SiCjoue un rôle essentiel dans le dépôt de la couche atomique (ALD) processus. Son contrôle précis de la température, sa distribution uniforme du gaz, sa haute résistance chimique et son excellente conductivité thermique garantissent l'uniformité et la haute qualité du processus de dépôt du film. Si vous souhaitez en savoir plus, vous pouvez nous consulter immédiatement et nous vous répondrons à temps !

Contrôle précis de la température:

Le suscepteur ALD à revêtement SiC dispose généralement d'un système de contrôle de température de haute précision. Il est capable de maintenir un environnement de température uniforme tout au long du processus de dépôt, ce qui est crucial pour garantir l'uniformité et la qualité du film.

Distribution uniforme du gaz:

La conception optimisée du suscepteur ALD à revêtement SiC assure la distribution uniforme du gaz pendant le processus de dépôt ALD. Sa structure comprend généralement plusieurs pièces rotatives ou mobiles pour favoriser une couverture uniforme des gaz réactifs sur toute la surface de la plaquette.

Haute résistance chimique:

Étant donné que le processus ALD implique une variété de gaz chimiques, le suscepteur ALD à revêtement SiC est généralement constitué de matériaux résistants à la corrosion (tels que le platine, la céramique ou le quartz de haute pureté) pour résister à l'érosion des gaz chimiques et à l'influence des environnements à haute température.

Excellente conductivité thermique:

Afin de conduire efficacement la chaleur et de maintenir une température de dépôt stable, les suscepteurs ALD à revêtement SiC utilisent généralement des matériaux à haute conductivité thermique. Cela permet d'éviter une surchauffe locale et un dépôt irrégulier.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC:

Ateliers de production:

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices：