L'anneau de revêtement CVD TaC de VeTek Semiconductor est un composant très avantageux conçu pour répondre aux exigences exigeantes des processus de croissance cristalline du carbure de silicium (SiC). L'anneau de revêtement CVD TaC offre une résistance exceptionnelle aux hautes températures et une inertie chimique, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements caractérisés par des températures élevées et des conditions corrosives. Nous nous engageons à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs et sommes impatients d'être votre partenaire à long terme. en Chine.
L'anneau de revêtement CVD TaC de VeTek Semiconductor est un composant essentiel pour une croissance réussie des monocristaux de carbure de silicium. Grâce à sa résistance aux températures élevées, son inertie chimique et ses performances supérieures, il garantit la production de cristaux de haute qualité avec des résultats constants. Faites confiance à nos solutions innovantes pour améliorer vos processus de croissance cristalline SiC selon la méthode PVT et obtenir des résultats exceptionnels.
Lors de la croissance des monocristaux de carbure de silicium, l'anneau de revêtement CVD TaC joue un rôle crucial pour garantir des résultats optimaux. Ses dimensions précises et son revêtement TaC de haute qualité permettent une répartition uniforme de la température, minimisant le stress thermique et favorisant la qualité des cristaux. La conductivité thermique supérieure du revêtement TaC facilite une dissipation efficace de la chaleur, contribuant ainsi à des taux de croissance améliorés et à des caractéristiques cristallines améliorées. Sa construction robuste et son excellente stabilité thermique garantissent des performances fiables et une durée de vie prolongée, réduisant ainsi le besoin de remplacements fréquents et minimisant les temps d'arrêt de production.
L'inertie chimique de l'anneau de revêtement CVD TaC est essentielle pour prévenir les réactions indésirables et la contamination pendant le processus de croissance des cristaux de SiC. Il fournit une barrière protectrice, maintenant l’intégrité du cristal et minimisant les impuretés. Cela contribue à la production de monocristaux de haute qualité, sans défauts, dotés d'excellentes propriétés électriques et optiques.
En plus de ses performances exceptionnelles, la bague de revêtement CVD TaC est conçue pour une installation et une maintenance faciles. Sa compatibilité avec les équipements existants et son intégration transparente garantissent un fonctionnement rationalisé et une productivité accrue.
Comptez sur VeTek Semiconductor et notre anneau de revêtement CVD TaC pour des performances fiables et efficaces, vous plaçant ainsi à la pointe de la technologie de croissance de cristaux SiC.
Propriétés physiques du revêtement TaC | |
Densité | 14,3 (g/cm³) |
Émissivité spécifique | 0.3 |
Coefficient de dilatation thermique | 6.3 10-6/K |
Dureté (HK) | 2000 Hong Kong |
Résistance | 1×10-5 Ohms*cm |
Stabilité thermique | <2500℃ |
Modifications de la taille du graphite | -10~-20um |
Épaisseur du revêtement | Valeur typique ≥20um (35um±10um) |