Support de plaquette Aixtron Satellite

Aixtron Satellite Wafer Carrier fait partie intégrante de l'équipement AIXTRON MOCVD, spécialement utilisé pour transporter des plaquettes pour la croissance épitaxiale. Il est particulièrement adapté auxcroissance épitaxialeprocessus des dispositifs GaN et carbure de silicium (SiC). Sa conception « satellite » unique garantit non seulement l’uniformité du flux de gaz, mais améliore également l’uniformité du dépôt du film sur la surface de la tranche.

d'Aixtronsupports de plaquettessont généralement constitués decarbure de silicium (SiC)ou graphite enduit de CVD. Parmi eux, le carbure de silicium (SiC) présente une excellente conductivité thermique, une résistance à haute température et un faible coefficient de dilatation thermique. Le graphite revêtu par CVD est un graphite recouvert d'un film de carbure de silicium par un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), qui peut améliorer sa résistance à la corrosion et sa résistance mécanique. Les matériaux SiC et graphite revêtu peuvent résister à des températures allant jusqu'à 1 400 °C – 1 600 °C et présentent une excellente stabilité thermique à haute température, ce qui est essentiel pour le processus de croissance épitaxiale.

Le support de plaquettes satellite Aixtron est principalement utilisé pour transporter et faire tourner des plaquettes dans leProcessus MOCVDpour assurer un flux de gaz uniforme et un dépôt uniforme pendant la croissance épitaxiale.Les fonctions spécifiques sont les suivantes:

Rotation des plaquettes et dépôt uniforme: Grâce à la rotation du porte-satellite Aixtron, la plaquette peut maintenir un mouvement stable pendant la croissance épitaxiale, permettant au gaz de s'écouler uniformément sur la surface de la plaquette pour assurer un dépôt uniforme des matériaux.

Roulement et stabilité à haute température: Les matériaux en carbure de silicium ou en graphite revêtu peuvent résister à des températures allant jusqu'à 1 400°C – 1 600°C. Cette caractéristique garantit que la tranche ne se déformera pas lors de la croissance épitaxiale à haute température, tout en empêchant la dilatation thermique du support lui-même d'affecter le processus épitaxial.

Génération de particules réduite: Les matériaux de support de haute qualité (tels que le SiC) ont des surfaces lisses qui réduisent la génération de particules lors du dépôt en phase vapeur, minimisant ainsi le risque de contamination, ce qui est essentiel pour produire des matériaux semi-conducteurs de haute pureté et de haute qualité.

Le support de tranches satellite Aixtron de VeTek Semiconductor est disponible dans des tailles de tranches de 100 mm, 150 mm, 200 mm et même plus grandes, et peut fournir des services de produits personnalisés en fonction des exigences de votre équipement et de vos processus. Nous espérons sincèrement être votre partenaire à long terme en Chine.

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC：

Porte-plaquettes Aixtron Satellite Ateliers de production:

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :