Buse de revêtement CVD SiC

VeTek Semiconductor est un fabricant spécialisé d'accessoires de revêtement CVD SiC pour les dispositifs épitaxiaux tels que les pièces demi-lune de revêtement CVD SiC et ses accessoires de buses de revêtement CVD SiC.

PE1O8 est un système cartouche à cartouche entièrement automatique conçu pour gérer des plaquettes SiC jusqu'à 200 mm. Le format peut être commuté entre 150 et 200 mm, minimisant ainsi les temps d'arrêt des outils. La réduction des étapes de chauffage augmente la productivité, tandis que l'automatisation réduit la main d'œuvre et améliore la qualité et la répétabilité. Pour garantir un processus d'épitaxie efficace et compétitif, trois facteurs principaux sont pris en compte : 1) un processus rapide, 2) une uniformité élevée de l'épaisseur et du dopage, et 3) une minimisation de la formation de défauts pendant le processus d'épitaxie. Dans le PE1O8, la petite masse de graphite et le système de chargement/déchargement automatique permettent d'effectuer une analyse standard en moins de 75 minutes (la formulation standard de diode Schottky de 10 μm utilise un taux de croissance de 30 μm/h). Le système automatique permet le chargement/déchargement à haute température. De ce fait, les temps de chauffage et de refroidissement sont courts, tandis que l'étape de cuisson a été inhibée. Cette condition idéale permet la croissance de véritables matériaux non dopés.

Dans le processus d'épitaxie du carbure de silicium, les buses de revêtement CVD SiC jouent un rôle crucial dans la croissance et la qualité des couches épitaxiales. Voici l'explication détaillée du rôle des buses dans l'épitaxie du carbure de silicium :

Alimentation et contrôle du gaz : les buses sont utilisées pour fournir le mélange gazeux requis pendant l'épitaxie, y compris le gaz source de silicium et le gaz source de carbone. Grâce aux buses, le débit et les rapports de gaz peuvent être contrôlés avec précision pour assurer une croissance uniforme de la couche épitaxiale et la composition chimique souhaitée.

Contrôle de la température : Les buses aident également à contrôler la température à l’intérieur du réacteur d’épitaxie. Dans l'épitaxie du carbure de silicium, la température est un facteur critique affectant le taux de croissance et la qualité des cristaux. En fournissant de la chaleur ou du gaz de refroidissement à travers les buses, la température de croissance de la couche épitaxiale peut être ajustée pour des conditions de croissance optimales.

Distribution du débit de gaz : La conception des buses influence la répartition uniforme du gaz dans le réacteur. La distribution uniforme du flux de gaz garantit l'uniformité de la couche épitaxiale et une épaisseur constante, évitant ainsi les problèmes liés à la non-uniformité de la qualité des matériaux.

Prévention de la contamination par les impuretés : Une conception et une utilisation appropriées des buses peuvent aider à prévenir la contamination par les impuretés pendant le processus d'épitaxie. Une conception de buse appropriée minimise la probabilité que des impuretés externes pénètrent dans le réacteur, garantissant ainsi la pureté et la qualité de la couche épitaxiale.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Ateliers de production :

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :