Bague de revêtement CVD SiC

L'anneau de revêtement CVD SiC est l'une des parties importantes des pièces en demi-lune. Avec d'autres pièces, il forme la chambre de réaction de croissance épitaxiale SiC. VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur professionnel d'anneaux de revêtement CVD SiC. Selon les exigences de conception du client, nous pouvons fournir l'anneau de revêtement CVD SiC correspondant au prix le plus compétitif. VeTek Semiconductor a hâte de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

envoyer une demande

Description du produit

Il y a de nombreuses petites pièces dans les pièces en demi-lune, et l'anneau de revêtement SiC en fait partie. En appliquant une couche deRevêtement CVD-SiCsur la surface d'un anneau en graphite de haute pureté par méthode CVD, nous pouvons obtenir un anneau de revêtement CVD SiC. L'anneau de revêtement SiC avec revêtement SiC possède d'excellentes propriétés telles qu'une résistance à haute température, d'excellentes propriétés mécaniques, une stabilité chimique, une bonne conductivité thermique, une bonne isolation électrique et une excellente résistance à l'oxydation. Anneau de revêtement CVD SiC et revêtement SiCentrepreneurtravailler ensemble.

SiC coating ring and cooperating susceptor

Anneau de revêtement SiC et coopérantentrepreneur

Les fonctions de l'anneau de revêtement CVD SiC :

● Répartition du débit: La conception géométrique de l'anneau de revêtement SiC contribue à former un champ d'écoulement de gaz uniforme, de sorte que le gaz de réaction puisse couvrir uniformément la surface du substrat, garantissant ainsi une croissance épitaxiale uniforme.

● Échange thermique et uniformité de la température: L'anneau de revêtement CVD SiC offre de bonnes performances d'échange thermique, maintenant ainsi une température uniforme de l'anneau de revêtement CVD SiC et du substrat. Cela peut éviter les défauts cristallins causés par les fluctuations de température.

● Blocage de l'interface: L'anneau de revêtement CVD SiC peut limiter dans une certaine mesure la diffusion des réactifs, de sorte qu'ils réagissent dans une zone spécifique, favorisant ainsi la croissance de cristaux SiC de haute qualité.

● Fonction d'assistance: L'anneau de revêtement CVD SiC est combiné avec le disque ci-dessous pour former une structure stable afin d'éviter la déformation à haute température et dans un environnement de réaction, et de maintenir la stabilité globale de la chambre de réaction.

VeTek Semiconductor s'engage toujours à fournir à ses clients des anneaux de revêtement CVD SiC de haute qualité et à aider ses clients à compléter des solutions aux prix les plus compétitifs. Quel que soit le type d'anneau de revêtement CVD SiC dont vous avez besoin, n'hésitez pas à consulter VeTek Semiconductor !

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC :

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m^-1·K^-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1