Suscepteur de revêtement TaC

VeTek Semiconductor présente le suscepteur de revêtement TaC. Avec son revêtement TaC exceptionnel, ce suscepteur offre une multitude d'avantages qui le distinguent des solutions conventionnelles. S'intégrant parfaitement aux systèmes existants, le suscepteur de revêtement TaC de VeTek Semiconductor garantit la compatibilité et un fonctionnement efficace. Ses performances fiables et son revêtement TaC de haute qualité fournissent systématiquement des résultats exceptionnels dans les processus d'épitaxie SiC. Nous nous engageons à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs et sommes impatients d'être votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Le suscepteur et l'anneau à revêtement TaC de VeTek Semiconductor fonctionnent ensemble dans le réacteur de croissance épitaxiale en carbure de silicium LPE :

Résistance aux hautes températures : le suscepteur de revêtement TaC présente une excellente résistance aux hautes températures, capable de résister aux températures extrêmes jusqu'à 1 500 °C dans le réacteur LPE. Cela garantit que l'équipement et les composants ne se déforment pas ou ne sont pas endommagés lors d'un fonctionnement à long terme.

Stabilité chimique : le suscepteur de revêtement TaC fonctionne exceptionnellement bien dans l'environnement corrosif de croissance du carbure de silicium, protégeant efficacement les composants du réacteur des attaques chimiques corrosives, prolongeant ainsi leur durée de vie.

Stabilité thermique : Le suscepteur de revêtement TaC a une bonne stabilité thermique, maintenant la morphologie et la rugosité de la surface pour assurer l'uniformité du champ de température dans le réacteur, ce qui est bénéfique pour la croissance de haute qualité des couches épitaxiales de carbure de silicium.

Anti-contamination : la surface lisse recouverte de TaC et les performances supérieures de TPD (désorption programmée à température) peuvent minimiser l'accumulation et l'adsorption de particules et d'impuretés à l'intérieur du réacteur, empêchant ainsi la contamination des couches épitaxiales.

En résumé, le suscepteur et l'anneau revêtus de TaC jouent un rôle protecteur essentiel dans le réacteur de croissance épitaxiale en carbure de silicium LPE, garantissant le fonctionnement stable à long terme de l'équipement et la croissance de haute qualité des couches épitaxiales.

Paramètre de produit du suscepteur de revêtement TaC :

Propriétés physiques du revêtement TaC
Densité	14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique	0.3
Coefficient de dilatation thermique	6.3 10-6/K
Dureté (HK)	2000 Hong Kong
Résistance	1×10-5 Ohms*cm
Stabilité thermique	<2500℃
Modifications de la taille du graphite	-10~-20um
Épaisseur du revêtement	Valeur typique ≥20um (35um±10um)