Mandrin à vide SiC poreux

Le mandrin à vide SiC poreux Vetek Semiconductor est principalement composé de carbure de silicium (SiC), un matériau céramique offrant d'excellentes performances. Le mandrin à vide poreux en SiC peut jouer le rôle de support et de fixation des plaquettes dans le processus de traitement des semi-conducteurs. Ce produit peut assurer un ajustement serré entre la plaquette et le mandrin en fournissant une aspiration uniforme, évitant efficacement le gauchissement et la déformation de la plaquette, garantissant ainsi la planéité du flux pendant le traitement. De plus, la résistance à haute température du carbure de silicium peut garantir la stabilité du mandrin et empêcher la plaquette de tomber en raison de la dilatation thermique. Bienvenue à consulter davantage.

Dans le domaine de l'électronique, le mandrin à vide Porous SiC peut être utilisé comme matériau semi-conducteur pour la découpe laser, la fabrication de dispositifs électriques, de modules photovoltaïques et de composants électroniques de puissance. Sa conductivité thermique élevée et sa résistance aux températures élevées en font un matériau idéal pour les appareils électroniques. Dans le domaine de l'optoélectronique, le mandrin à vide Porous SiC peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs optoélectroniques tels que des lasers, des matériaux d'emballage LED et des cellules solaires. Ses excellentes propriétés optiques et sa résistance à la corrosion contribuent à améliorer les performances et la stabilité de l'appareil.

Vetek Semiconductor peut fournir:

1. Propreté: Après le traitement, la gravure, le nettoyage et la livraison finale du support SiC, il doit être trempé à 1 200 degrés pendant 1,5 heure pour brûler toutes les impuretés, puis emballé dans des sacs sous vide.

2. Planéité du produit: Avant de placer la plaquette, elle doit être supérieure à -60 kpa lorsqu'elle est placée sur l'équipement pour éviter que le support ne s'envole lors d'une transmission rapide. Après avoir placé la plaquette, elle doit être supérieure à -70 kpa. Si la température à vide est inférieure à -50 kpa, la machine continuera à alerter et ne pourra pas fonctionner. La planéité du dos est donc très importante.

3. Conception du chemin de gaz: personnalisé selon les exigences du client.

3 étapes de tests clients:

1. Test d'oxydation : pas d'oxygène (le client chauffe rapidement jusqu'à 900 degrés, le produit doit donc être recuit à 1100 degrés).

2. Test de résidus métalliques : chauffez rapidement jusqu'à 1 200 degrés, aucune impureté métallique n'est libérée pour contaminer la plaquette.

3. Test sous vide : La différence entre la pression avec et sans Wafer est inférieure à +2ka (force d'aspiration).

Tableau des caractéristiques du mandrin à vide SiC poreux VeTek Semiconductor:

Magasins de mandrins à vide en SiC poreux VeTek Semiconductor:

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices: