Support de baril de plaquette à revêtement CVD SiC

Le dépôt chimique en phase vapeur de métaux organiques (MOCVD) est actuellement la technologie de croissance épitaxiale la plus en vogue, largement utilisée dans la fabrication de lasers à semi-conducteurs et de LED, en particulier l'épitaxie GaN. L'épitaxie fait référence à la croissance d'un autre film monocristallin sur un substrat cristallin. La technologie d'épitaxie peut garantir que le film cristallin nouvellement développé est structurellement aligné avec le substrat cristallin sous-jacent. Cette technologie permet la croissance de films aux propriétés spécifiques sur le substrat, ce qui est essentiel pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs hautes performances.

Le support Wafer Barrel est un élément clé du four de croissance épitaxiale. Le support de plaquette de revêtement CVD SiC est largement utilisé dans divers fours de croissance épitaxiale CVD, en particulier les fours de croissance épitaxiale MOCVD.

Fonctions et features du support de baril de plaquette à revêtement CVD SiC

● Substrats porteurs et chauffants: Le suscepteur à baril revêtu de SiC CVD est utilisé pour transporter les substrats et fournir le chauffage nécessaire pendant le processus MOCVD. Le support de baril de plaquette à revêtement CVD SiC est composé de graphite de haute pureté et d'un revêtement SiC et offre d'excellentes performances.

● Uniformité: Pendant le processus MOCVD, le support du baril de graphite tourne en continu pour obtenir une croissance uniforme de la couche épitaxiale.

● Stabilité thermique et uniformité thermique: Le revêtement SiC du suscepteur à baril revêtu de SiC présente une excellente stabilité thermique et une excellente uniformité thermique, garantissant ainsi la qualité de la couche épitaxiale.

● Éviter la contamination: Le support de baril de plaquette à revêtement CVD SiC a une superbe stabilité, de sorte qu'il ne produira pas de chute de contaminants pendant le fonctionnement.

● Durée de vie ultra longue: En raison du revêtement SiC, le CVD SiC Coated Barrel Susceptor a toujours une durabilité suffisante dans l'environnement de gaz corrosif et à haute température du MOCVD.

Schéma du réacteur Barrel CVD

La plus grande caractéristique du support de baril de plaquette à revêtement CVD SiC de VeTek Semiconductor

● Le plus haut degré de personnalisation: La composition des matériaux du substrat de graphite, la composition du matériau et l'épaisseur du revêtement SIC, et la structure du porte-plaquette peuvent toutes être personnalisées en fonction des besoins des clients.

● Être en avance sur les autres fournisseurs: Le suscepteur cylindrique en graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor pour EPI peut également être personnalisé en fonction des besoins du client. Sur la paroi intérieure, nous pouvons réaliser des motifs complexes pour répondre aux besoins du client.

Depuis sa création, VeTek Semiconductor s'est engagé dans l'exploration continue de la technologie de revêtement SiC. Aujourd'hui, VeTek Semiconductor possède le produit de revêtement SiC le plus performant du secteur. VeTek Semiconductor a hâte de devenir votre partenaire dans les produits de supports de barillet de plaquettes à revêtement CVD SiC.

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM DE REVÊTEMENT CVD SIC

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC