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Suscepteur de corps en graphite revêtu de SiC
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Suscepteur de corps en graphite revêtu de SiC

Le suscepteur en baril de graphite à revêtement SiC VeTek Semiconductor est un plateau de plaquettes haute performance conçu pour les processus d'épitaxie de semi-conducteurs, offrant une excellente conductivité thermique, une résistance aux températures élevées et aux produits chimiques, une surface de haute pureté et des options personnalisables pour améliorer l'efficacité de la production. Faites bon accueil à votre enquête plus approfondie.

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Description du produit

Le suscepteur en baril de graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor est une solution avancée conçue spécifiquement pour les processus d'épitaxie de semi-conducteurs, en particulier dans les réacteurs LPE. Ce plateau de plaquettes très efficace est conçu pour optimiser la croissance des matériaux semi-conducteurs, garantissant ainsi des performances et une fiabilité supérieures dans les environnements de fabrication exigeants. 


Les produits Susceptor en graphite de Veteksemi présentent les avantages exceptionnels suivants


Résistance aux hautes températures et aux produits chimiques : fabriqué pour résister aux rigueurs des applications à haute température, le suscepteur à baril revêtu de SiC présente une résistance remarquable aux contraintes thermiques et à la corrosion chimique. Son revêtement SiC protège le substrat en graphite de l'oxydation et d'autres réactions chimiques pouvant se produire dans des environnements de traitement difficiles. Cette durabilité prolonge non seulement la durée de vie du produit, mais réduit également la fréquence des remplacements, contribuant ainsi à réduire les coûts opérationnels et à augmenter la productivité.


Conductivité thermique exceptionnelle : l'une des caractéristiques remarquables du suscepteur à baril en graphite revêtu de SiC est son excellente conductivité thermique. Cette propriété permet une répartition uniforme de la température sur la tranche, essentielle pour obtenir des couches épitaxiales de haute qualité. Le transfert de chaleur efficace minimise les gradients thermiques, qui peuvent conduire à des défauts dans les structures semi-conductrices, améliorant ainsi le rendement et les performances globales du processus d'épitaxie.


Surface de haute pureté : le high-puLa surface de qualité du suscepteur cylindrique à revêtement CVD SiC est cruciale pour maintenir l'intégrité des matériaux semi-conducteurs en cours de traitement. Les contaminants peuvent nuire aux propriétés électriques des semi-conducteurs, faisant de la pureté du substrat un facteur critique pour une épitaxie réussie. Grâce à ses processus de fabrication raffinés, la surface recouverte de SiC garantit une contamination minimale, favorisant une croissance cristalline de meilleure qualité et des performances globales de l'appareil.


Applications dans le processus d'épitaxie des semi-conducteurs

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor Working Schematic


La principale application du suscepteur en baril de graphite revêtu de SiC réside dans les réacteurs LPE, où il joue un rôle central dans la croissance de couches semi-conductrices de haute qualité. Sa capacité à maintenir la stabilité dans des conditions extrêmes tout en facilitant une répartition optimale de la chaleur en fait un composant essentiel pour les fabricants qui se concentrent sur les dispositifs semi-conducteurs avancés. En utilisant ce suscepteur, les entreprises peuvent s’attendre à des performances améliorées dans la production de matériaux semi-conducteurs de haute pureté, ouvrant ainsi la voie au développement de technologies de pointe.


VeTeksemi s'engage depuis longtemps à fournir des technologies et des solutions de produits avancées à l'industrie des semi-conducteurs. Les suscepteurs cylindriques en graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor offrent des options personnalisées adaptées aux applications et exigences spécifiques. Qu'il s'agisse de modifier des dimensions, d'améliorer des propriétés thermiques spécifiques ou d'ajouter des fonctionnalités uniques pour des processus spécialisés, VeTek Semiconductor s'engage à fournir des solutions qui répondent pleinement aux besoins des clients. Nous sommes sincèrement impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.


STRUCTURE CRISTALLINE DE FILM DE REVÊTEMENT CVD SIC

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité du revêtement
3,21 g/cm³
Revêtement SiC Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains
2~10μm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPa RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5×10-6K-1


Magasins de production de suscepteurs en graphite à revêtement SiC VeTek Semiconductor


sic coated Graphite substrateSiC Coated Graphite Barrel Susceptor product testSilicon carbide ceramics processingSemiconductor process equipment

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