Le suscepteur en baril de graphite à revêtement SiC VeTek Semiconductor est un plateau de plaquettes haute performance conçu pour les processus d'épitaxie de semi-conducteurs, offrant une excellente conductivité thermique, une résistance aux températures élevées et aux produits chimiques, une surface de haute pureté et des options personnalisables pour améliorer l'efficacité de la production. Faites bon accueil à votre enquête plus approfondie.
Le suscepteur en baril de graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor est une solution avancée conçue spécifiquement pour les processus d'épitaxie de semi-conducteurs, en particulier dans les réacteurs LPE. Ce plateau de plaquettes très efficace est conçu pour optimiser la croissance des matériaux semi-conducteurs, garantissant ainsi des performances et une fiabilité supérieures dans les environnements de fabrication exigeants.
Résistance aux hautes températures et aux produits chimiques : fabriqué pour résister aux rigueurs des applications à haute température, le suscepteur à baril revêtu de SiC présente une résistance remarquable aux contraintes thermiques et à la corrosion chimique. Son revêtement SiC protège le substrat en graphite de l'oxydation et d'autres réactions chimiques pouvant se produire dans des environnements de traitement difficiles. Cette durabilité prolonge non seulement la durée de vie du produit, mais réduit également la fréquence des remplacements, contribuant ainsi à réduire les coûts opérationnels et à augmenter la productivité.
Conductivité thermique exceptionnelle : l'une des caractéristiques remarquables du suscepteur à baril en graphite revêtu de SiC est son excellente conductivité thermique. Cette propriété permet une répartition uniforme de la température sur la tranche, essentielle pour obtenir des couches épitaxiales de haute qualité. Le transfert de chaleur efficace minimise les gradients thermiques, qui peuvent conduire à des défauts dans les structures semi-conductrices, améliorant ainsi le rendement et les performances globales du processus d'épitaxie.
Surface de haute pureté : le high-puLa surface de qualité du suscepteur cylindrique à revêtement CVD SiC est cruciale pour maintenir l'intégrité des matériaux semi-conducteurs en cours de traitement. Les contaminants peuvent nuire aux propriétés électriques des semi-conducteurs, faisant de la pureté du substrat un facteur critique pour une épitaxie réussie. Grâce à ses processus de fabrication raffinés, la surface recouverte de SiC garantit une contamination minimale, favorisant une croissance cristalline de meilleure qualité et des performances globales de l'appareil.
La principale application du suscepteur en baril de graphite revêtu de SiC réside dans les réacteurs LPE, où il joue un rôle central dans la croissance de couches semi-conductrices de haute qualité. Sa capacité à maintenir la stabilité dans des conditions extrêmes tout en facilitant une répartition optimale de la chaleur en fait un composant essentiel pour les fabricants qui se concentrent sur les dispositifs semi-conducteurs avancés. En utilisant ce suscepteur, les entreprises peuvent s’attendre à des performances améliorées dans la production de matériaux semi-conducteurs de haute pureté, ouvrant ainsi la voie au développement de technologies de pointe.
VeTeksemi s'engage depuis longtemps à fournir des technologies et des solutions de produits avancées à l'industrie des semi-conducteurs. Les suscepteurs cylindriques en graphite à revêtement SiC de VeTek Semiconductor offrent des options personnalisées adaptées aux applications et exigences spécifiques. Qu'il s'agisse de modifier des dimensions, d'améliorer des propriétés thermiques spécifiques ou d'ajouter des fonctionnalités uniques pour des processus spécialisés, VeTek Semiconductor s'engage à fournir des solutions qui répondent pleinement aux besoins des clients. Nous sommes sincèrement impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC |
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Propriété |
Valeur typique |
Structure cristalline |
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111) |
Densité du revêtement |
3,21 g/cm³ |
Revêtement SiC Dureté |
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g) |
Taille des grains |
2~10μm |
Pureté chimique |
99,99995% |
Capacité thermique |
640 J·kg-1·K-1 |
Température de sublimation |
2700 ℃ |
Résistance à la flexion |
415 MPa RT 4 points |
Module de Young |
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Conductivité thermique |
300W·m-1·K-1 |
Expansion thermique (CTE) |
4,5×10-6K-1 |