Vetek Semiconductor se consacre à l'avancement et à la commercialisation des revêtements CVD SiC et CVD TaC. À titre d'illustration, nos segments de couverture de revêtement SiC subissent un traitement méticuleux, aboutissant à un revêtement SiC CVD dense d'une précision exceptionnelle. Il présente une résistance remarquable aux températures élevées et offre une protection robuste contre la corrosion. Nous apprécions vos demandes.
Vous pouvez être assuré d’acheter des segments de revêtement de revêtement SiC dans notre usine.
La technologie des micro LED bouleverse l'écosystème LED existant avec des méthodes et des approches qui n'étaient jusqu'à présent observées que dans les industries des écrans LCD ou des semi-conducteurs. Le système Aixtron G5 MOCVD prend parfaitement en charge ces exigences d’extension strictes. Il s’agit d’un puissant réacteur MOCVD conçu principalement pour la croissance par épitaxie GaN à base de silicium.
Aixtron G5 est un système d'épitaxie à disque planétaire horizontal, composé principalement de composants tels que le disque planétaire à revêtement CVD SiC, le suscepteur MOCVD, les segments de couverture de revêtement SiC, l'anneau de couverture de revêtement SiC, le plafond de revêtement SiC, l'anneau de support de revêtement SiC, le disque de couverture de revêtement SiC, Collecteur d'échappement à revêtement SiC, rondelle à goupilles, bague d'entrée du collecteur, etc.
En tant que fabricant de revêtements CVD SiC, VeTek Semiconductor propose des segments de couverture de revêtement SiC Aixtron G5. Ces suscepteurs sont fabriqués à partir de graphite de haute pureté et comportent un revêtement CVD SiC avec une impureté inférieure à 5 ppm.
Les produits CVD SiC Coating Cover Segments présentent une excellente résistance à la corrosion, une conductivité thermique supérieure et une stabilité à haute température. Ces produits résistent efficacement à la corrosion chimique et à l’oxydation, garantissant ainsi durabilité et stabilité dans les environnements difficiles. La conductivité thermique exceptionnelle permet un transfert de chaleur efficace, améliorant ainsi l'efficacité de la gestion thermique. Grâce à leur stabilité à haute température et leur résistance aux chocs thermiques, les revêtements CVD SiC peuvent résister à des conditions extrêmes. Ils empêchent la dissolution et l'oxydation du substrat en graphite, réduisant ainsi la contamination et améliorant l'efficacité de la production et la qualité des produits. La surface de revêtement plate et uniforme fournit une base solide pour la croissance du film, minimisant les défauts causés par une disparité de réseau et améliorant la cristallinité et la qualité du film. En résumé, les produits en graphite à revêtement CVD SiC offrent des solutions matérielles fiables pour diverses applications industrielles, combinant une résistance exceptionnelle à la corrosion, une conductivité thermique et une stabilité à haute température.
Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC | |
Propriété | Valeur typique |
Structure en cristal | Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111) |
Densité | 3,21 g/cm³ |
Dureté | Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g) |
Taille d'un grain | 2~10μm |
Pureté chimique | 99,99995% |
Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
Température de sublimation | 2700 ℃ |
Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
Module d'Young | Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Conductivité thermique | 300W·m-1·K-1 |
Expansion thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |