Suscepteur épitaxial GaN à base de silicium

VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur professionnel qui se consacre à fournir des suscepteurs épitaxiaux GaN à base de silicium de haute qualité. Le semi-conducteur suscepteur est utilisé dans le système VEECO K465i GaN MOCVD, haute pureté, résistance aux températures élevées, résistance à la corrosion, bienvenue pour vous renseigner et coopérer avec nous !

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Description du produit

VeTek Semiconducto est un fabricant leader professionnel de suscepteurs épitaxiaux GaN à base de silicium en Chine, offrant une qualité élevée et un prix raisonnable. Bienvenue à nous contacter.

Le suscepteur épitaxial GaN à base de silicium VeTek Semiconductor est un composant clé du système VEECO K465i GaN MOCVD pour soutenir et chauffer le substrat de silicium du matériau GaN pendant la croissance épitaxiale.

Le suscepteur épitaxial GaN à base de silicium VeTek Semiconductor adopte un matériau graphite de haute pureté et de haute qualité comme substrat, qui présente une bonne stabilité et une bonne conduction thermique dans le processus de croissance épitaxiale. Ce substrat est capable de résister à des environnements à haute température, garantissant la stabilité et la fiabilité du processus de croissance épitaxiale.

Afin d'améliorer l'efficacité et la qualité de la croissance épitaxiale, le revêtement de surface de ce suscepteur utilise du carbure de silicium de haute pureté et de haute uniformité. Le revêtement en carbure de silicium présente une excellente résistance aux températures élevées et une excellente stabilité chimique, et peut résister efficacement à la réaction chimique et à la corrosion lors du processus de croissance épitaxiale.

La conception et la sélection des matériaux de ce suscepteur de tranche sont conçues pour fournir une conductivité thermique, une stabilité chimique et une résistance mécanique optimales afin de prendre en charge une croissance par épitaxie GaN de haute qualité. Sa grande pureté et sa grande uniformité assurent la cohérence et l'uniformité pendant la croissance, ce qui donne un film GaN de haute qualité.

En général, le suscepteur épitaxial GaN à base de silicium est un produit haute performance conçu spécifiquement pour le système VEECO K465i GaN MOCVD en utilisant un substrat graphte de haute pureté et de haute qualité et un revêtement en carbure de silicium de haute pureté et de haute uniformité. Il offre stabilité, fiabilité et support de haute qualité pour le processus de croissance épitaxiale.

Propriétés physiques du graphite isostatique
Propriété	Unité	Valeur typique
Densité apparente	g/cm³	1.83
Dureté	HSD	58
Résistivité électrique	mΩ.m	10
Résistance à la flexion	MPa	47
Résistance à la compression	MPa	103
Résistance à la traction	MPa	31
Module d'Young	GPa	11.8
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductivité thermique	W·m-1·K-1	130
Taille moyenne des grains	µm	8-10
Porosité	%	10
Teneur en cendres	ppm	≤10 (après purification)

Propriétés physiques du suscepteur épitaxial GaN à base de silicium :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1

Remarque : Avant le revêtement, nous effectuerons une première purification, après le revêtement, nous effectuerons une deuxième purification.

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

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