Creuset pour Silicium Monocristallin

Dans la méthode CZ (Czochralski), un monocristal est développé en mettant un germe monocristallin en contact avec du silicium polycristallin fondu. La graine est progressivement tirée vers le haut tout en tournant lentement. Dans ce processus, un nombre important de pièces en graphite sont utilisées, ce qui en fait la méthode qui utilise la plus grande quantité de composants en graphite dans la fabrication de semi-conducteurs en silicium.

L'image ci-dessous fournit une représentation schématique d'un four de fabrication de monocristaux de silicium basé sur la méthode CZ.

Le creuset pour silicium monocristallin de Vetek Semiconductor fournit un environnement stable et contrôlé crucial pour la formation précise des cristaux semi-conducteurs. Ils jouent un rôle déterminant dans la production de lingots de silicium monocristallin en utilisant des techniques avancées telles que le procédé Czochralski et les méthodes de zone flottante, essentielles à la production de matériaux de haute qualité pour les appareils électroniques.

Conçus pour une stabilité thermique exceptionnelle, une résistance à la corrosion chimique et une dilatation thermique minimale, ces creusets garantissent durabilité et robustesse. Ils sont conçus pour résister aux environnements chimiques difficiles sans compromettre l'intégrité structurelle ou les performances, prolongeant ainsi la durée de vie du creuset et maintenant des performances constantes lors d'une utilisation prolongée.

La composition unique des creusets Vetek Semiconductor pour silicium monocristallin leur permet de supporter les conditions extrêmes du traitement à haute température. Cela garantit une stabilité thermique et une pureté exceptionnelles, essentielles au traitement des semi-conducteurs. La composition facilite également un transfert de chaleur efficace, favorisant une cristallisation uniforme et minimisant les gradients thermiques au sein de la masse fondue de silicium.

Avantages de notre suscepteur de revêtement SiC :

Protection du matériau de base : Le revêtement CVD SiC agit comme une couche protectrice pendant le processus épitaxial, protégeant efficacement le matériau de base de l'érosion et des dommages causés par l'environnement externe. Cette mesure de protection prolonge considérablement la durée de vie de l'équipement.

Excellente conductivité thermique : notre revêtement CVD SiC possède une conductivité thermique exceptionnelle, transférant efficacement la chaleur du matériau de base à la surface du revêtement. Cela améliore l’efficacité de la gestion thermique pendant l’épitaxie, garantissant des températures de fonctionnement optimales pour l’équipement.

Qualité du film améliorée : le revêtement CVD SiC offre une surface plane et uniforme, créant une base idéale pour la croissance du film. Il réduit les défauts résultant d'une inadéquation de réseau, améliore la cristallinité et la qualité du film épitaxial et améliore finalement ses performances et sa fiabilité.

Choisissez notre suscepteur de revêtement SiC pour vos besoins de production de plaquettes épitaxiales et bénéficiez d'une protection améliorée, d'une conductivité thermique supérieure et d'une qualité de film améliorée. Faites confiance aux solutions innovantes de VeTek Semiconductor pour conduire votre succès dans l'industrie des semi-conducteurs.

Ateliers de production :

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :