Anneau de guidage à trois pétales avec revêtement CVD TaC

VeTek Semiconductor a connu de nombreuses années de développement technologique et maîtrise la technologie de pointe du revêtement CVD TaC. L'anneau de guidage à trois pétales revêtu de CVD TaC est l'un des produits de revêtement CVD TaC les plus matures de VeTek Semiconductor et constitue un composant important pour la préparation de cristaux de SiC par la méthode PVT. Avec l'aide de VeTek Semiconductor, je pense que votre production de cristaux SiC sera plus fluide et plus efficace.

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Description du produit

Le matériau de substrat monocristallin en carbure de silicium est une sorte de matériau cristallin, qui appartient au matériau semi-conducteur à large bande interdite. Il présente les avantages d'une résistance à haute tension, d'une résistance à haute température, d'une haute fréquence, d'une faible perte, etc. C'est un matériau de base pour la préparation d'appareils électroniques de puissance élevée et d'appareils à radiofréquence micro-ondes. À l'heure actuelle, les principales méthodes de croissance des cristaux de SiC sont le transport physique de vapeur (méthode PVT), le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (méthode HTCVD), la méthode en phase liquide, etc.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

La méthode PVT est une méthode relativement mature, plus adaptée à la production industrielle de masse. En plaçant le cristal germe de SiC sur le dessus du creuset et en plaçant la poudre de SiC comme matière première au fond du creuset, dans un environnement fermé à haute température et basse pression, la poudre de SiC se sublime et est transférée vers le haut à proximité. du cristal germe sous l'action d'un gradient de température et d'une différence de concentration, et recristallise après avoir atteint l'état sursaturé, la croissance contrôlable de la taille du cristal de SiC et du type de cristal spécifique peut être obtenue.

La fonction principale de l'anneau de guidage à trois pétales revêtu de CVD TaC est d'améliorer la mécanique des fluides, de guider le flux de gaz et d'aider la zone de croissance cristalline à obtenir une atmosphère uniforme. Il dissipe également efficacement la chaleur et maintient le gradient de température pendant la croissance des cristaux de SiC, optimisant ainsi les conditions de croissance des cristaux de SiC et évitant les défauts des cristaux causés par une répartition inégale de la température.

Excellentes performances du revêtement CVD TaC

● Ultra-haute pureté: Évite la génération d'impuretés et de contamination.

● Stabilité à haute température: La stabilité à haute température au-dessus de 2 500 °C permet un fonctionnement à très haute température.

● Tolérance à l'environnement chimique: Tolérance à H(2), NH(3), SiH(4) et Si, offrant une protection dans les environnements chimiques difficiles.

● Longue durée de vie sans perte: Une forte liaison avec le corps en graphite peut garantir un long cycle de vie sans perte du revêtement intérieur.

● Résistance aux chocs thermiques: La résistance aux chocs thermiques accélère le cycle de fonctionnement.

●Tolérance dimensionnelle stricte: Garantit que la couverture du revêtement répond à des tolérances dimensionnelles strictes.

VeTek Semiconductor dispose d'une équipe de support technique et d'une équipe commerciale professionnelles et matures qui peuvent personnaliser les produits et les solutions les plus adaptés pour vous. De l'avant-vente à l'après-vente, VeTek Semiconductor s'engage toujours à vous fournir les services les plus complets et les plus complets.

Propriétés physiques du revêtement TaC

Propriétés physiques du revêtement TaC
Revêtement TaC Densité	14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique	0.3
Coefficient de dilatation thermique	6.3 10^-6/K
Revêtement TaC Dureté (HK)	2000 Hong Kong
Résistance	1×10^-5Ohm*cm
Stabilité thermique	<2500℃
Modifications de la taille du graphite	-10~-20um
Épaisseur du revêtement	Valeur typique ≥20um (35um±10um)
Conductivité thermique	9-22 (W/m·K)

Ateliers de produits d'anneau de guidage à trois pétales avec revêtement CVD TaC VeTek Semiconductor

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