Anneau revêtu de TaC pour réacteur épitaxial SiC

VeTek Semiconductor est un anneau recouvert de TaC à grande échelle pour le fabricant et innovateur de réacteurs épitaxiaux SiC en Chine. Nous sommes spécialisés dans le revêtement TaC depuis de nombreuses années. Nos produits ont une grande pureté, une haute stabilité, une excellente résistance à la corrosion et une force de liaison élevée. avec impatience de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Présentation du produit de l'anneau revêtu de TaC pour réacteur épitaxial SiC

VeTek Semiconductor est une société renommée basée en Chine, connue pour son expertise dans la fabrication de revêtements TaC et SiC de haute qualité, ainsi que d'anneaux revêtus de TaC de haute pureté pour réacteur épitaxial SiC. Nous sommes fiers d'offrir des produits de qualité supérieure à des prix compétitifs. Nous vous invitons chaleureusement à nous contacter et à découvrir les solutions exceptionnelles que nous proposons.

Nos anneaux revêtus de TaC pour réacteurs épitaxiaux SiC jouent un rôle crucial. Ces anneaux font partie intégrante de notre ensemble demi-lune, offrant des fonctions essentielles telles que le support du substrat, un contrôle précis de la température, une isolation thermique efficace, une ventilation efficace et une protection fiable. En travaillant harmonieusement, ces anneaux assurent un contrôle méticuleux de l'épaisseur, du dopage et des caractéristiques de défauts de la couche épitaxiale de SiC développée dans la chambre de réaction.

En plus de nos anneaux exceptionnels revêtus de TaC, VeTek Semiconductor propose une vaste gamme de produits connexes spécifiquement conçus pour les chambres de réaction. Notre gamme de produits comprend des demi-lunes supérieures et inférieures, des capots de protection, des capots isolants et des interfaces de dérivation d'air de traitement. Chacun de ces composants subit un revêtement SiC ou TaC méticuleux pour améliorer les performances et prolonger leur durée de vie.

Paramètre de produit de l'anneau revêtu de TaC pour réacteur épitaxial SiC

Propriétés physiques du revêtement TaC
Densité	14,3 (g/cm³)
Émissivité spécifique	0.3
Coefficient de dilatation thermique	6.3 10-6/K
Dureté (HK)	2000 Hong Kong
Résistance	1×10-5 Ohms*cm
Stabilité thermique	<2500℃
Modifications de la taille du graphite	-10~-20um
Épaisseur du revêtement	Valeur typique ≥20um (35um±10um)

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :

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