L'anneau déflecteur à revêtement TaC de VeTek Semiconductor est un composant hautement spécialisé conçu pour les processus de croissance de cristaux SiC. Le revêtement TaC offre une excellente résistance aux températures élevées et une inertie chimique pour faire face aux températures élevées et aux environnements corrosifs pendant le processus de croissance cristalline. Cela garantit des performances stables et une longue durée de vie du composant, réduisant ainsi la fréquence de remplacement et les temps d'arrêt. Nous nous engageons à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs et sommes impatients d'être votre partenaire à long terme en Chine.
VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur professionnel d'anneaux déflecteurs à revêtement TaC en Chine. Nos anneaux déflecteurs à revêtement TaC sont des composants hautement spécialisés conçus pour être utilisés dans les processus de croissance de cristaux SiC. Ces composants sont essentiels dans les environnements qui nécessitent une résistance aux températures élevées, une durabilité exceptionnelle et une inertie chimique inégalée.
Les anneaux déflecteurs à revêtement TaC sont fabriqués à partir de carbure de tantale de haute pureté, qui offre une excellente conductivité thermique et une résistance extrême aux températures élevées et aux chocs thermiques. Le revêtement TaC du composant offre une couche de protection supplémentaire contre les produits chimiques agressifs et les environnements difficiles courants dans la croissance des cristaux. La présence du revêtement augmente la durabilité et la durée de vie du composant, maintenant des performances constantes sur plusieurs cycles.
L'anneau déflecteur à revêtement TaC peut résister à des températures allant jusqu'à 2 200 °C, ce qui le rend idéal pour les processus à haute température. Les anneaux déflecteurs à revêtement TaC sont principalement utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour la croissance cristalline du carbure de silicium. Convient aux réacteurs de croissance cristalline à l’échelle de la recherche et à l’échelle industrielle.
Propriétés physiques du revêtement TaC | |
Densité | 14,3 (g/cm³) |
Émissivité spécifique | 0.3 |
Coefficient de dilatation thermique | 6.3 10-6/K |
Dureté (HK) | 2000 Hong Kong |
Résistance | 1×10-5 Ohms*cm |
Stabilité thermique | <2500℃ |
Modifications de la taille du graphite | -10 ~ -20 um |
Épaisseur du revêtement | Valeur typique ≥20um (35um±10um) |