Suscepteur de baril revêtu de SiC pour LPE PE2061S

VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs de suscepteurs cylindriques à revêtement SiC pour LPE PE2061S en Chine. Nous sommes spécialisés dans les matériaux de revêtement SiC depuis de nombreuses années. Nous proposons un suscepteur cylindrique à revêtement SiC conçu spécifiquement pour les tranches LPE PE2061S 4''. Ce suscepteur est doté d'un revêtement durable en carbure de silicium qui améliore les performances et la durabilité pendant le processus LPE (épitaxie en phase liquide). Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine.

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Description du produit

VeTek Semiconductor est un suscepteur professionnel en baril à revêtement SiC de Chine pourLPE PE2061Sfabricant et fournisseur.

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC VeTeK Semiconductor pour LPE PE2061S est un produit haute performance créé en appliquant une fine couche de carbure de silicium sur la surface d'un graphite isotrope hautement purifié. Ceci est réalisé grâce au système exclusif de VeTeK SemiconductorDépôt chimique en phase vapeur (CVD)processus.

Notre suscepteur à baril revêtu de SiC pour LPE PE2061S est une sorte de réacteur à baril de dépôt épitaxial CVD conçu pour offrir des performances fiables dans des environnements extrêmes. Son adhérence exceptionnelle du revêtement, sa résistance à l'oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un excellent choix pour une utilisation dans des conditions difficiles. De plus, son profil thermique uniforme et son flux de gaz laminaire empêchent la contamination, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité.

La conception en forme de tonneau de notre semi-conducteurréacteur épitaxialoptimise les modèles de flux de gaz laminaire, assurant une distribution uniforme de la chaleur. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés,assurer une croissance épitaxiale de haute qualité sur les substrats de plaquettes.

Nous nous engageons à fournir à nos clients des produits de haute qualité et rentables. Notre suscepteur de baril à revêtement CVD SiC offre l'avantage d'être compétitif tout en conservant une excellente densité pour lesubstrat en graphiteetrevêtement en carbure de silicium, offrant une protection fiable dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC :

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Le suscepteur en barillet recouvert de SiC pour la croissance de monocristaux présente un très haut lissé de surface.

Il minimise la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et

revêtement en carbure de silicium, améliorant efficacement la force de liaison et empêchant les fissures et le délaminage.

Le substrat en graphite et le revêtement en carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes capacités de distribution thermique.

Il a un point de fusion élevé, une température élevéerésistance à l'oxydation, etrésistance à la corrosion.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m^-1·K^-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Suscepteur de baril à revêtement SiC VeTek Semiconductor pour atelier de production LPE PE2061S :

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices:

semiconductor chip epitaxy industry chain

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