VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs de pommes de douche CVD SiC en Chine. Nous sommes spécialisés dans les matériaux SiC depuis de nombreuses années. La pomme de douche CVD SiC est choisie comme matériau de bague de focalisation en raison de son excellente stabilité thermochimique, de sa résistance mécanique élevée et de sa résistance à érosion plasmatique. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Vous pouvez être assuré d'acheter une pomme de douche CVD SiC dans notre usine. La pomme de douche VeTek Semiconductor CVD SiC est fabriquée à partir de carbure de silicium solide (SiC) à l'aide de techniques avancées de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le SiC est choisi pour sa conductivité thermique, sa résistance chimique et sa résistance mécanique exceptionnelles, idéales pour les composants SiC de grand volume comme la pomme de douche CVD SiC.
Conçue pour la fabrication de semi-conducteurs, la pomme de douche CVD SiC résiste aux températures élevées et au traitement au plasma. Son contrôle précis du débit de gaz et ses propriétés matérielles supérieures garantissent des processus stables et une fiabilité à long terme. L'utilisation du CVD SiC améliore la gestion thermique et la stabilité chimique, améliorant ainsi la qualité et les performances des produits semi-conducteurs.
La pomme de douche CVD SiC améliore l'efficacité de la croissance épitaxiale en distribuant uniformément les gaz de traitement et en protégeant la chambre de la contamination. Il résout efficacement les défis de fabrication de semi-conducteurs tels que le contrôle de la température, la stabilité chimique et la cohérence des processus, en fournissant des solutions fiables aux clients.
Utilisée dans les systèmes MOCVD, l'épitaxie Si et l'épitaxie SiC, la pomme de douche CVD SiC prend en charge la production de dispositifs semi-conducteurs de haute qualité. Son rôle essentiel garantit un contrôle précis et une stabilité des processus, répondant ainsi aux diverses exigences des clients en matière de produits fiables et performants.
Propriétés physiques du SiC solide | |||
Densité | 3.21 | g/cm3 | |
Résistivité de l'électricité | 102 | Ω/cm | |
Résistance à la flexion | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Module d'Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Dureté Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
C.T.E. (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conductivité thermique (RT) | 250 | W/mK |