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Anneau de bord en SiC solide pour processus de dépôt chimique en phase vapeur

Anneau de bord en SiC solide pour processus de dépôt chimique en phase vapeur

VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs d'anneaux de bord en SiC solide dans le cadre du processus de dépôt chimique en phase vapeur en Chine. Nous sommes spécialisés dans les matériaux semi-conducteurs depuis de nombreuses années. L'anneau de bord en SiC solide VeTek Semiconductor offre une uniformité de gravure améliorée et un positionnement précis des plaquettes lorsqu'il est utilisé avec un mandrin électrostatique. , garantissant des résultats de gravure cohérents et fiables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

VL'anneau de bord en SiC solide pour processus de dépôt chimique en phase vapeur d'eTek Semiconductor est une solution de pointe conçue spécifiquement pour les processus de gravure à sec, offrant des performances et une fiabilité supérieures. Nous aimerions vous fournir un anneau de bord en SiC solide de processus de dépôt chimique en phase vapeur de haute qualité.

Application:

L'anneau de bord en SiC solide pour processus de dépôt chimique en phase vapeur est utilisé dans les applications de gravure sèche pour améliorer le contrôle du processus et optimiser les résultats de gravure. Il joue un rôle crucial dans la direction et le confinement de l’énergie du plasma pendant le processus de gravure, garantissant ainsi un enlèvement de matière précis et uniforme. Notre bague de focalisation est compatible avec une large gamme de systèmes de gravure sèche et convient à divers processus de gravure dans tous les secteurs.


Comparaison des matériaux :


Anneau de bord en SiC solide avec processus CVD :


● Matériel: La bague de mise au point est fabriquée en SiC massif, un matériau céramique de haute pureté et haute performance. Il est fabriqué selon des méthodes telles que le frittage à haute température ou le compactage de poudres SiC. Le matériau SiC solide offre une durabilité exceptionnelle, une résistance aux températures élevées et d'excellentes propriétés mécaniques.

●  Avantages: L'anneau cvd sic offre une stabilité thermique exceptionnelle, conservant son intégrité structurelle même dans des conditions de température élevée rencontrées dans les processus de gravure sèche. Sa dureté élevée garantit une résistance aux contraintes mécaniques et à l’usure, conduisant à une durée de vie prolongée. De plus, le SiC solide présente une inertie chimique, le protégeant de la corrosion et conservant ses performances dans le temps.

Chemical Vapor Deposition Process

Revêtement CVD-SiC :


●  Matériel: Le revêtement CVD SiC est un dépôt de couche mince de SiC utilisant des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le revêtement est appliqué sur un matériau de substrat, tel que du graphite ou du silicium, pour conférer des propriétés SiC à la surface.

●  Comparaison: Bien que les revêtements CVD SiC offrent certains avantages, tels que le dépôt conforme sur des formes complexes et les propriétés de film réglables, ils peuvent ne pas égaler la robustesse et les performances du SiC solide. L'épaisseur du revêtement, la structure cristalline et la rugosité de la surface peuvent varier en fonction des paramètres du processus CVD, ce qui peut avoir un impact sur la durabilité et les performances globales du revêtement.


En résumé, la bague de focalisation en SiC solide VeTek Semiconductor est un choix exceptionnel pour les applications de gravure sèche. Son matériau SiC solide garantit une résistance aux hautes températures, une excellente dureté et une inertie chimique, ce qui en fait une solution fiable et durable. Alors que le revêtement CVD SiC offre une flexibilité de dépôt, l'anneau cvd sic excelle en offrant une durabilité et des performances inégalées requises pour les processus de gravure à sec exigeants.


Propriétés physiques du SiC solide


Propriétés physiques du SiC solide
Densité 3.21 g/cm3
Résistivité de l'électricité 102 Ω/cm
Résistance à la flexion 590 MPa (6000 kgf/cm2)
Module de Young 450 GPa (6000kgf/mm2)
Dureté Vickers 26 GPa (2650kgf/mm2)
C.T.E. (RT-1000℃) 4.0 x10-6/K
Conductivité thermique (RT) 250 W/mK


Atelier de production d'anneaux de bord en SiC solide pour processus CVD de semi-conducteurs VeTek

CVD Process Solid SiC Ring Production Shop


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