Protecteur de revêtement CVD SiC

Vetek Semiconductor fournit un revêtement protecteur CVD SiC utilisé pour l'épitaxie LPE SiC. Le terme « LPE » fait généralement référence à l'épitaxie basse pression (LPE) dans le dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD). Dans la fabrication de semi-conducteurs, le LPE est une technologie de processus importante pour la croissance de films minces monocristallins, souvent utilisés pour faire croître des couches épitaxiales de silicium ou d'autres couches épitaxiales de semi-conducteurs. N'hésitez pas à nous contacter pour plus de questions.

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Description du produit

Un protecteur de revêtement CVD SiC de haute qualité est proposé par le fabricant chinois Vetek Semiconductor. Achetez le protecteur de revêtement CVD SiC de haute qualité directement à bas prix.

L'épitaxie LPE SiC fait référence à l'utilisation de la technologie d'épitaxie basse pression (LPE) pour faire croître des couches d'épitaxie en carbure de silicium sur des substrats en carbure de silicium. Le SiC est un excellent matériau semi-conducteur, avec une conductivité thermique élevée, une tension de claquage élevée, une vitesse de dérive des électrons saturés élevée et d'autres excellentes propriétés, est souvent utilisé dans la fabrication de dispositifs électroniques à haute température, haute fréquence et haute puissance.

L'épitaxie LPE SiC est une technique de croissance couramment utilisée qui utilise les principes du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour déposer un matériau en carbure de silicium sur un substrat afin de former la structure cristalline souhaitée dans les bonnes conditions de température, d'atmosphère et de pression. Cette technique d'épitaxie peut contrôler l'adaptation du réseau, l'épaisseur et le type de dopage de la couche d'épitaxie, affectant ainsi les performances du dispositif.

Les avantages de l’épitaxie LPE SiC comprennent :

Haute qualité cristalline : le LPE peut produire des cristaux de haute qualité à des températures élevées.

Contrôle des paramètres de la couche épitaxiale : L'épaisseur, le dopage et l'adaptation du réseau de la couche épitaxiale peuvent être contrôlés avec précision pour répondre aux exigences d'un dispositif spécifique.

Convient à des appareils spécifiques : les couches épitaxiales SiC conviennent à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ayant des exigences particulières, tels que les dispositifs de puissance, les dispositifs à haute fréquence et les dispositifs à haute température.

En épitaxie LPE SiC, un produit typique est les pièces en demi-lune. Le protecteur de revêtement CVD SiC en amont et en aval, assemblé sur la seconde moitié des pièces en demi-lune, est relié à un tube de quartz, qui peut laisser passer du gaz pour entraîner la base du plateau à tourner et contrôler la température. C'est une partie importante de l'épitaxie du carbure de silicium.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1