Cylindre en graphite CVD SiC
  • Cylindre en graphite CVD SiCCylindre en graphite CVD SiC

Cylindre en graphite CVD SiC

Le cylindre en graphite CVD SiC de Vetek Semiconductor joue un rôle essentiel dans les équipements semi-conducteurs, servant de bouclier de protection dans les réacteurs pour protéger les composants internes dans des températures et pressions élevées. Il protège efficacement contre les produits chimiques et la chaleur extrême, préservant ainsi l’intégrité de l’équipement. Avec une résistance exceptionnelle à l’usure et à la corrosion, il assure longévité et stabilité dans des environnements difficiles. L'utilisation de ces couvertures améliore les performances des dispositifs semi-conducteurs, prolonge la durée de vie et atténue les exigences de maintenance et les risques de dommages. Bienvenue à nous consulter.

envoyer une demande

Description du produit

Le cylindre en graphite CVD SiC de Vetek Semiconductor joue un rôle important dans les équipements semi-conducteurs. Il est généralement utilisé comme capot de protection à l’intérieur du réacteur pour assurer la protection des composants internes du réacteur dans des environnements à haute température et haute pression. Ce capot de protection peut isoler efficacement les produits chimiques et les températures élevées dans le réacteur, les empêchant ainsi d'endommager l'équipement. Dans le même temps, le cylindre en graphite CVD SiC présente également une excellente résistance à l'usure et à la corrosion, ce qui le rend capable de maintenir la stabilité et la durabilité à long terme dans des environnements de travail difficiles. En utilisant des capots de protection fabriqués à partir de ce matériau, les performances et la fiabilité des dispositifs semi-conducteurs peuvent être améliorées, prolongeant ainsi la durée de vie de l'appareil tout en réduisant les besoins de maintenance et le risque de dommages.

Le cylindre en graphite CVD SiC a une large gamme d'applications dans les équipements à semi-conducteurs, y compris, mais sans s'y limiter, les aspects suivants :

Équipement de traitement thermique : le cylindre en graphite CVD SiC peut être utilisé comme couvercle de protection ou bouclier thermique dans l'équipement de traitement thermique pour protéger les composants internes des températures élevées tout en offrant une excellente résistance aux températures élevées.

Réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) : Dans le réacteur CVD, le cylindre en graphite CVD SiC peut être utilisé comme couvercle de protection pour la chambre de réaction chimique, isolant efficacement la substance réactionnelle et offrant une résistance à la corrosion.

Applications dans des environnements corrosifs : en raison de son excellente résistance à la corrosion, le cylindre en graphite CVD SiC peut être utilisé dans des environnements chimiquement corrodés, tels que des environnements gazeux ou liquides corrosifs lors de la fabrication de semi-conducteurs.

Équipement de croissance de semi-conducteurs : capots de protection ou autres composants utilisés dans l'équipement de croissance de semi-conducteurs pour protéger l'équipement des températures élevées, de la corrosion chimique et de l'usure afin de garantir la stabilité et la fiabilité à long terme de l'équipement.

Stabilité à haute température, résistance à la corrosion, excellentes propriétés mécaniques, conductivité thermique. Grâce à ces excellentes performances, il aide à dissiper la chaleur plus efficacement dans les dispositifs semi-conducteurs, en maintenant la stabilité et les performances de l'appareil.


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité 3,21 g/cm³
Dureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de Young Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5×10-6K-1


Ateliers de production :


Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :


Balises actives:

Catégorie associée

envoyer une demande

N'hésitez pas à faire votre demande dans le formulaire ci-dessous. Nous vous répondrons dans les 24 heures.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept