La matière première CVD SiC de haute pureté préparée par CVD est le meilleur matériau source pour la croissance des cristaux de carbure de silicium par transport physique de vapeur. La densité de la matière première CVD SiC de haute pureté fournie par VeTek Semiconductor est supérieure à celle des petites particules formées par combustion spontanée de gaz contenant du Si et du C, et elle ne nécessite pas de four de frittage dédié et a un taux d'évaporation presque constant. Il peut produire des monocristaux de SiC de très haute qualité. Dans l'attente de votre demande.
VeTek Semiconductor a développé un nouveauMatière première monocristalline SiC- Matière première CVD SiC de haute pureté. Ce produit comble le vide national et se situe également au premier niveau mondial, et occupera une position de leader à long terme dans la concurrence. Les matières premières traditionnelles en carbure de silicium sont produites par la réaction du silicium de haute pureté etgraphite, qui sont coûteux, de faible pureté et de petite taille.
La technologie à lit fluidisé de VeTek Semiconductor utilise du méthyltrichlorosilane pour générer des matières premières de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur, et le principal sous-produit est l'acide chlorhydrique. L'acide chlorhydrique peut former des sels en se neutralisant avec un alcali et ne causera aucune pollution à l'environnement. Dans le même temps, le méthyltrichlorosilane est un gaz industriel largement utilisé, peu coûteux et provenant de nombreuses sources, en particulier la Chine qui est le principal producteur de méthyltrichlorosilane. Par conséquent, la matière première CVD SiC de haute pureté de VeTek Semiconductor présente une compétitivité de premier plan au niveau international en termes de coût et de qualité. La pureté de la matière première CVD SiC de haute pureté est supérieure à99,9995%.
La matière première CVD SiC de haute pureté est un produit de nouvelle génération utilisé pour remplacerPoudre de SiC pour faire pousser des monocristaux de SiC. La qualité des monocristaux de SiC cultivés est extrêmement élevée. À l'heure actuelle, VeTek Semiconductor maîtrise parfaitement cette technologie. Et elle est déjà en mesure de proposer ce produit sur le marché à un prix très avantageux.● Grande taille et haute densité
La taille moyenne des particules est d'environ 4 à 10 mm et la taille des particules des matières premières Acheson nationales est <2,5 mm. Le creuset du même volume peut contenir plus de 1,5 kg de matières premières, ce qui contribue à résoudre le problème de l'approvisionnement insuffisant en matériaux de croissance cristalline de grande taille, à atténuer la graphitisation des matières premières, à réduire l'enveloppement de carbone et à améliorer la qualité des cristaux.
●Faible rapport Si/C
Il est plus proche de 1:1 que les matières premières Acheson de la méthode d'auto-propagation, ce qui peut réduire les défauts induits par l'augmentation de la pression partielle du Si.
●Valeur de sortie élevée
Les matières premières cultivées conservent toujours le prototype, réduisent la recristallisation, réduisent la graphitisation des matières premières, réduisent les défauts d'enveloppement du carbone et améliorent la qualité des cristaux.
● Pureté supérieure
La pureté des matières premières produites par la méthode CVD est supérieure à celle des matières premières Acheson de la méthode auto-propagation. La teneur en azote a atteint 0,09 ppm sans purification supplémentaire. Cette matière première peut également jouer un rôle important dans le domaine semi-isolant.
● Coût inférieur
Le taux d'évaporation uniforme facilite le contrôle de la qualité des processus et des produits, tout en améliorant le taux d'utilisation des matières premières (taux d'utilisation > 50 %, 4,5 kg de matières premières produisent 3,5 kg de lingots), réduisant ainsi les coûts.
●Faible taux d’erreur humaine
Le dépôt chimique en phase vapeur évite les impuretés introduites par l’opération humaine.