Réacteur LPE Halfmoon SiC EPI

Réacteur LPE Halfmoon SiC EPIest un appareil spécialement conçu pour produire desépitaxie en carbure de silicium (SiC)couches, où le processus épitaxial se produit dans la chambre de réaction en demi-lune LPE, où le substrat est exposé à des conditions extrêmes telles que des températures élevées et des gaz corrosifs. Pour garantir la durée de vie et les performances des composants de la chambre de réaction, dépôt chimique en phase vapeur (CVD)Revêtement SiCest habituellement utilisé. Sa conception et sa fonction lui permettent d'assurer une croissance épitaxiale stable des cristaux de SiC dans des conditions extrêmes.

Réacteur LPE Halfmoon SiC EPIComposants:

Chambre de réaction principale: La chambre de réaction principale est constituée de matériaux résistants aux hautes températures tels que le carbure de silicium (SiC) etgraphite, qui ont une résistance à la corrosion chimique extrêmement élevée et une résistance aux températures élevées. La température de fonctionnement est généralement comprise entre 1 400 °C et 1 600 °C, ce qui peut favoriser la croissance de cristaux de carbure de silicium dans des conditions de température élevée. La pression de fonctionnement de la chambre de réaction principale est comprise entre 10^-3et 10^-1mbar, et l'uniformité de la croissance épitaxiale peut être contrôlée en ajustant la pression.

Composants chauffants: Des radiateurs en graphite ou en carbure de silicium (SiC) sont généralement utilisés, ce qui peut fournir une source de chaleur stable dans des conditions de température élevée.

La fonction principale du réacteur LPE Halfmoon SiC EPI est de faire croître par épitaxie des films de carbure de silicium de haute qualité. Spécifiquement,cela se manifeste dans les aspects suivants:

Croissance de la couche épitaxiale: Grâce au processus d'épitaxie en phase liquide, des couches épitaxiales à très faibles défauts peuvent être cultivées sur des substrats SiC, avec un taux de croissance d'environ 1 à 10 μm/h, ce qui peut garantir une qualité cristalline extrêmement élevée. Dans le même temps, le débit de gaz dans la chambre de réaction principale est généralement contrôlé entre 10 et 100 sccm (centimètres cubes standard par minute) pour garantir l'uniformité de la couche épitaxiale.

Stabilité à haute température: Les couches épitaxiales SiC peuvent toujours maintenir d'excellentes performances dans des environnements à haute température, haute pression et haute fréquence.

Réduire la densité des défauts: La conception structurelle unique du réacteur LPE Halfmoon SiC EPI peut réduire efficacement la génération de défauts cristallins pendant le processus d'épitaxie, améliorant ainsi les performances et la fiabilité de l'appareil.

VeTek Semiconductor s'engage à fournir des technologies et des solutions de produits avancées pour l'industrie des semi-conducteurs. Dans le même temps, nous prenons en charge des services de produits personnalisés.Nous espérons sincèrement devenir votre partenaire à long terme en Chine.

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC：

VeTek Semiconductor LPE demi-lune SiC EPI Réacteur Ateliers de production: