Ensemble de récepteurs LPE SI EPI

VeTek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et innovateurs d'ensembles de suscepteurs LPE Si Epi en Chine. Nous sommes spécialisés dans le revêtement SiC et le revêtement TaC depuis de nombreuses années. Nous proposons un ensemble de suscepteurs LPE Si Epi conçu spécifiquement pour les tranches LPE PE2061S 4''. Le degré correspondant de matériau graphite et de revêtement SiC est bon, l'uniformité est excellente et la durée de vie est longue, ce qui peut améliorer le rendement de croissance de la couche épitaxiale pendant le processus LPE (épitaxie en phase liquide). Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine.

envoyer une demande

Description du produit

VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur professionnel d'ensembles de suscepteurs LPE Si EPI en Chine.

Avec une bonne qualité et un prix compétitif, bienvenue pour visiter notre usine et établir une coopération à long terme avec nous.

L'ensemble de suscepteurs VeTeK Semiconductor LPE Si Epi est un produit haute performance créé en appliquant une fine couche de carbure de silicium sur la surface d'un graphite isotrope hautement purifié. Ceci est réalisé grâce au processus exclusif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de VeTeK Semiconductor.

L'ensemble de suscepteurs LPE Si Epi de VeTek Semiconductor est un réacteur cylindrique de dépôt épitaxial CVD conçu pour fonctionner de manière fiable même dans des conditions difficiles. Son adhérence exceptionnelle du revêtement, sa résistance à l’oxydation à haute température et à la corrosion en font un choix idéal pour les environnements difficiles. De plus, son profil thermique uniforme et son flux de gaz laminaire empêchent la contamination, garantissant ainsi la croissance de couches épitaxiales de haute qualité.

La conception en forme de tonneau de notre réacteur épitaxial à semi-conducteurs optimise le flux de gaz, garantissant ainsi une répartition uniforme de la chaleur. Cette fonctionnalité empêche efficacement la contamination et la diffusion d’impuretés, garantissant ainsi la production de couches épitaxiales de haute qualité sur des substrats de tranches.

Chez VeTek Semiconductor, nous nous engageons à fournir à nos clients des produits de haute qualité et rentables. Notre ensemble de suscepteurs LPE Si Epi offre des prix compétitifs tout en conservant une excellente densité pour le substrat en graphite et le revêtement en carbure de silicium. Cette combinaison garantit une protection fiable dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1