Suscepteur de baril de graphite enduit de SiC pour EPI

VeTek Semiconductor est un fabricant, fournisseur et exportateur professionnel de suscepteurs cylindriques en graphite revêtus de SiC pour EPI. Soutenu par une équipe professionnelle et une technologie de pointe, VeTek Semiconductor peut vous fournir une haute qualité à des prix raisonnables. nous vous invitons à visiter notre usine pour une discussion plus approfondie.

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Description du produit

VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur chinois qui produit principalement des suscepteurs cylindriques en graphite revêtus de SiC pour EPI avec de nombreuses années d'expérience. J'espère établir des relations commerciales avec vous. L'EPI (épitaxie) est un processus critique dans la fabrication de semi-conducteurs avancés. Cela implique le dépôt de fines couches de matériau sur un substrat pour créer des structures de dispositifs complexes. Les suscepteurs en graphite à revêtement SiC pour EPI sont couramment utilisés comme suscepteurs dans les réacteurs EPI en raison de leur excellente conductivité thermique et de leur résistance aux températures élevées. Avec le revêtement CVD-SiC, il devient plus résistant à la contamination, à l'érosion et aux chocs thermiques. Cela se traduit par une durée de vie plus longue du suscepteur et une qualité de film améliorée.

Avantages de notre suscepteur en graphite à revêtement SiC :

Contamination réduite : la nature inerte du SiC empêche les impuretés d'adhérer à la surface du suscepteur, réduisant ainsi le risque de contamination des films déposés.

Résistance accrue à l'érosion : le SiC est nettement plus résistant à l'érosion que le graphite conventionnel, ce qui entraîne une durée de vie plus longue du suscepteur.

Stabilité thermique améliorée : le SiC a une excellente conductivité thermique et peut résister à des températures élevées sans distorsion significative.

Qualité de film améliorée : La stabilité thermique améliorée et la contamination réduite permettent d'obtenir des films déposés de meilleure qualité avec une uniformité et un contrôle d'épaisseur améliorés.

Applications:

Les suscepteurs cylindriques en graphite revêtus de SiC sont largement utilisés dans diverses applications EPI, notamment :

LED basées sur GaN

Electronique de puissance

Appareils optoélectroniques

Transistors haute fréquence

Capteurs

Paramètre de produit du suscepteur à baril en graphite revêtu de SiC

Propriétés physiques du graphite isostatique
Propriété	Unité	Valeur typique
Densité apparente	g/cm³	1.83
Dureté	HSD	58
Résistivité électrique	mΩ.m	10
Résistance à la flexion	MPa	47
Résistance à la compression	MPa	103
Résistance à la traction	MPa	31
Module d'Young	GPa	11.8
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductivité thermique	W·m-1·K-1	130
Taille moyenne des grains	µm	8-10
Porosité	%	10
Teneur en cendres	ppm	≤10 (après purification)

Remarque : Avant le revêtement, nous effectuerons une première purification, après le revêtement, nous effectuerons une deuxième purification.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

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