Déflecteur de creuset en graphite enduit de SiC

VeTek Semiconductor possède de nombreuses années d'expérience dans la production de déflecteurs de creuset en graphite revêtus de SiC de haute qualité. Nous disposons de notre propre laboratoire de recherche et de développement de matériaux et pouvons prendre en charge vos conceptions personnalisées avec une qualité supérieure. nous vous invitons à visiter notre usine pour plus de discussion.

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Description du produit

VeTek Semiconducotr est un fabricant et fournisseur professionnel de déflecteurs de creuset en graphite à revêtement SiC en Chine. Le déflecteur de creuset en graphite revêtu de SiC est un composant crucial de l'équipement de four monocristallin, chargé de guider en douceur le matériau fondu du creuset vers la zone de croissance cristalline, garantissant ainsi la qualité et la forme de la croissance monocristalline.

Les fonctions de notre déflecteur de creuset en graphite revêtu de SiC sont :

Contrôle du flux : il dirige le flux de silicium fondu pendant le processus Czochralski, assurant une distribution uniforme et un mouvement contrôlé du silicium fondu pour favoriser la croissance des cristaux.

Régulation de la température : elle aide à réguler la répartition de la température au sein du silicium fondu, garantissant des conditions optimales pour la croissance des cristaux et minimisant les gradients de température qui pourraient affecter la qualité du silicium monocristallin.

Prévention de la contamination : en contrôlant le flux de silicium fondu, il aide à prévenir la contamination du creuset ou d'autres sources, en maintenant la haute pureté requise pour les applications de semi-conducteurs.

Stabilité : Le déflecteur contribue à la stabilité du processus de croissance cristalline en réduisant les turbulences et en favorisant un flux constant de silicium fondu, ce qui est crucial pour obtenir des propriétés cristallines uniformes.

Facilitation de la croissance cristalline : en guidant le silicium fondu de manière contrôlée, le déflecteur facilite la croissance d'un monocristal à partir du silicium fondu, ce qui est essentiel pour produire des tranches de silicium monocristallin de haute qualité utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs.

Paramètre de produit du déflecteur de creuset en graphite revêtu de SiC

Propriétés physiques du graphite isostatique
Propriété	Unité	Valeur typique
Densité apparente	g/cm³	1.83
Dureté	HSD	58
Résistivité électrique	mΩ.m	10
Résistance à la flexion	MPa	47
Résistance à la compression	MPa	103
Résistance à la traction	MPa	31
Module d'Young	GPa	11.8
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductivité thermique	W·m-1·K-1	130
Taille moyenne des grains	µm	8-10
Porosité	%	10
Teneur en cendres	ppm	≤10 (après purification)

Remarque : Avant le revêtement, nous effectuerons une première purification, après le revêtement, nous effectuerons une deuxième purification.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

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