Suscepteur de crêpes à revêtement SiC pour plaquettes LPE PE3061S 6''

VeTek Semiconductor est l'un des principaux suscepteurs de crêpes à revêtement SiC pour fabricant et innovateur de tranches LPE PE3061S 6'' en Chine. Nous sommes spécialisés dans les matériaux de revêtement SiC depuis de nombreuses années. Nous proposons un suscepteur à crêpes à revêtement SiC conçu spécifiquement pour les tranches LPE PE3061S 6'' . Ce suscepteur épitaxial présente une résistance élevée à la corrosion, de bonnes performances de conduction thermique et une bonne uniformité. Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine.

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Description du produit

En tant que fabricant professionnel, VeTek Semiconductor souhaite vous fournir un suscepteur de crêpes à revêtement SiC de haute qualité pour les tranches LPE PE3061S 6''.

Le suscepteur de crêpe à revêtement SiC VeTeK Semiconductor pour tranches LPE PE3061S 6" est un équipement critique utilisé dans les processus de fabrication de semi-conducteurs.

Suscepteur de crêpes à revêtement SiC pour plaquettes LPE PE3061S 6" Caractéristiques du produit :

Stabilité à haute température : le SiC présente une excellente stabilité à haute température, conservant sa structure et ses performances dans des environnements à haute température.

Conductivité thermique exceptionnelle : le SiC possède une conductivité thermique exceptionnelle, permettant un transfert de chaleur rapide et uniforme pour un chauffage rapide et uniforme.

Résistance à la corrosion : le SiC possède une excellente stabilité chimique, résistant à la corrosion et à l’oxydation dans divers environnements de chauffage.

Répartition uniforme de la chaleur : le support de plaquette recouvert de SiC assure une répartition uniforme de la chaleur, garantissant une température uniforme sur toute la surface de la plaquette pendant le chauffage.

Convient à la production de semi-conducteurs : le support de plaquette d'épitaxie Si est largement utilisé dans les processus de fabrication de semi-conducteurs, en particulier pour la croissance par épitaxie Si et d'autres processus de chauffage à haute température.

Avantages du produit :

Efficacité de production améliorée : le suscepteur de crêpes recouvert de SiC permet un chauffage rapide et uniforme, réduisant le temps de chauffage et améliorant l'efficacité de la production.

Qualité du produit garantie : une distribution uniforme de la chaleur garantit la cohérence pendant le traitement des plaquettes, conduisant à une qualité de produit améliorée.

Durée de vie prolongée de l'équipement : le matériau SiC offre une excellente résistance à la chaleur et une excellente stabilité chimique, contribuant ainsi à une durée de vie plus longue du suscepteur à crêpes.

Solutions personnalisées : le suscepteur revêtu de SiC et le support de plaquette d'épitaxie Si peuvent être adaptés à différentes tailles et spécifications en fonction des exigences du client.

SEM data and structure of CVD SIC films

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure cristalline	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module de Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

VeTek Semiconductor Production Shop

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain

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