Support de plaquette revêtu de SiC

Le support de plaquette à revêtement SiC de VeTek Semiconductor est généralement utilisé pour fixer et soutenir les plaquettes pendant le traitement des semi-conducteurs. C'est un appareil performantsupport de plaquettelargement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. En appliquant une couche de carbure de silicium (SiC) sur la surface dusubstrat, le produit peut empêcher efficacement la corrosion du substrat et améliorer la résistance à la corrosion et la résistance mécanique du support de plaquette, garantissant ainsi les exigences de stabilité et de précision du processus de traitement.

Support de plaquette revêtu de SiCest généralement utilisé pour fixer et soutenir les plaquettes pendant le traitement des semi-conducteurs. Il s'agit d'un support de tranche haute performance largement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. En enduisant une couche decarbure de silicium (SiC)sur la surface du substrat, le produit peut efficacement empêcher la corrosion du substrat et améliorer la résistance à la corrosion et la résistance mécanique du support de tranche, garantissant ainsi les exigences de stabilité et de précision du processus de traitement.

Le carbure de silicium (SiC) a un point de fusion d'environ 2 730 °C et une excellente conductivité thermique d'environ 120 à 180 W/m·K. Cette propriété permet de dissiper rapidement la chaleur lors de processus à haute température et d'éviter une surchauffe entre la tranche et le support. Par conséquent, le support de plaquette revêtu de SiC utilise généralement du graphite revêtu de carbure de silicium (SiC) comme substrat.

Combiné à la dureté extrêmement élevée du SiC (dureté Vickers d'environ 2 500 HV), le revêtement en carbure de silicium (SiC) déposé par le procédé CVD peut former un revêtement protecteur dense et résistant, ce qui améliore considérablement la résistance à l'usure du support de plaquette revêtu de SiC. .

Le support de plaquette à revêtement SiC de VeTek Semiconductor est fabriqué en graphite revêtu de SiC et constitue un composant clé indispensable dans les processus modernes d'épitaxie de semi-conducteurs. Il combine intelligemment l'excellente conductivité thermique du graphite (la conductivité thermique est d'environ 100-400 W/m·K à température ambiante) et la résistance mécanique, ainsi que l'excellente résistance à la corrosion chimique et la stabilité thermique du carbure de silicium (le point de fusion du SiC est d'environ 2 730°C), répondant parfaitement aux exigences strictes de l'environnement actuel de fabrication de semi-conducteurs haut de gamme.

Ce support de conception à plaquette unique peut contrôler avec précision leprocédé d'épitaxieparamètres, ce qui permet de produire des dispositifs semi-conducteurs de haute qualité et hautes performances. Sa conception structurelle unique garantit que la tranche est manipulée avec le plus grand soin et la plus grande précision tout au long du processus, garantissant ainsi l'excellente qualité de la couche épitaxiale et améliorant les performances du produit semi-conducteur final.

En tant que leader chinoisRevêtement SiCFabricant et leader de supports de plaquettes, VeTek Semiconductor peut fournir des produits et des services techniques personnalisés en fonction des exigences de votre équipement et de vos processus.Nous espérons sincèrement être votre partenaire à long terme en Chine.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC:

VeTek Semiconductor Porte-plaquettes à revêtement SiC Productions Ateliers：