Pièce d'étanchéité SiC

La pièce d'étanchéité SiC joue un rôle clé dans le traitement des semi-conducteurs. Ses excellentes propriétés matérielles et son effet d'étanchéité fiable améliorent non seulement l'efficacité de la production, mais garantissent également la qualité et la sécurité du produit.

Principaux avantages de la pièce d'étanchéité en carbure de silicium:

Excellente résistance à la corrosion: Parmi les matériaux céramiques avancés, la pièce d'étanchéité VeTeksemi SiC peut avoir la meilleure résistance à la corrosion dans les environnements acides et alcalins. Cette résistance à la corrosion inégalée garantit que la pièce d'étanchéité SiC peut fonctionner efficacement dans des environnements chimiquement corrosifs, ce qui en fait un matériau indispensable dans les industries souvent exposées à des substances corrosives.

Léger et solide: Le carbure de silicium a une densité d'environ 3,2 g/cm³ et, bien qu'il s'agisse d'un matériau céramique léger, la résistance du carbure de silicium est comparable à celle du diamant. Cette combinaison de légèreté et de résistance améliore les performances des composants mécaniques, augmentant ainsi l'efficacité et réduisant l'usure dans les applications industrielles exigeantes. La nature légère de la pièce d'étanchéité SiC facilite également la manipulation et l'installation des composants.

Dureté extrêmement élevée et conductivité thermique élevée: Le carbure de silicium a une dureté Mohs de 9 à 10., comparable au diamant. Cette propriété, combinée à une conductivité thermique élevée (environ 120-200 W/m·K à température ambiante), permet aux joints SiC de fonctionner dans des conditions qui endommageraient des matériaux de qualité inférieure. Les excellentes propriétés mécaniques du SiC sont maintenues à des températures allant jusqu'à 1 600 °C, garantissant que les joints SiC restent robustes et fiables même dans les applications à haute température.

Dureté et résistance à l'usure élevées: Le carbure de silicium se caractérise par de fortes liaisons covalentes au sein de son réseau cristallin, lui conférant une dureté élevée et un module élastique considérable. Ces propriétés se traduisent par une excellente résistance à l’usure, réduisant ainsi le risque de flexion ou de déformation même après une utilisation à long terme. Cela fait du SiC un excellent choix pour les pièces d’étanchéité en SiC soumises à des contraintes mécaniques continues et à des conditions abrasives.

Formation d’une couche protectrice de dioxyde de silicium: Lorsqu'il est exposé à des températures d'environ 1 300 °C dans un environnement riche en oxygène, le carbure de silicium forme un dioxyde de silicium protecteur (SiO₂) couche sur sa surface. Cette couche agit comme une barrière, empêchant toute oxydation ultérieure et interactions chimiques. Comme le SiO₂La couche s'épaissit, elle protège davantage le SiC sous-jacent des autres réactions. Ce processus d'oxydation auto-limité confère au SiC une excellente résistance chimique et stabilité, ce qui rend les joints SiC adaptés à une utilisation dans des environnements réactifs et à haute température.

Polyvalence dans les applications hautes performances:Les propriétés uniques du carbure de silicium le rendent polyvalent et efficace dans une variété d'applications hautes performances. Des garnitures mécaniques et roulements aux échangeurs de chaleur et composants de turbine, la capacité de SiC Sealing Part à résister à des conditions extrêmes et à maintenir son intégrité en fait le matériau de choix dans les solutions d'ingénierie avancées.

VeTek Semiconductor s'est engagé à fournir des technologies et des solutions de produits avancées pour l'industrie des semi-conducteurs. De plus, nos produits SiC incluent égalementRevêtement en carbure de silicium, Céramiques de carbure de siliciumetProcessus d'épitaxie SiCproduits. Bienvenue à votre consultation ultérieure.

DONNÉES SEM DE LA STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC：