Demi-lune inférieure en graphite ultra pur

VeTek Semiconductor est l'un des principaux fournisseurs de demi-lune inférieure en graphite ultra pur personnalisé en Chine, spécialisé dans les matériaux avancés depuis de nombreuses années. Notre demi-lune inférieure en graphite ultra pur est spécialement conçue pour les équipements épitaxiaux SiC, garantissant d'excellentes performances. Fabriqué à partir de graphite importé ultra pur, il offre fiabilité et durabilité. Visitez notre usine en Chine pour explorer de première main notre demi-lune inférieure en graphite ultra pur de haute qualité.

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Description du produit

VeTek Semiconductor est un fabricant professionnel dédié à la fourniture de demi-lune inférieure en graphite ultra pur. Nos produits Demi-lune inférieure en graphite ultra pur sont spécialement conçus pour les chambres épitaxiales SiC et offrent des performances et une compatibilité supérieures avec divers modèles d'équipement.

Caractéristiques:

Connexion : La demi-lune inférieure en graphite ultra pur VeTek Semiconductor est conçue pour se connecter à des tubes de quartz, facilitant le flux de gaz pour entraîner la rotation de la base du support.

Contrôle de la température : Le produit permet un contrôle de la température, garantissant des conditions optimales au sein de la chambre de réaction.

Conception sans contact : installée à l'intérieur de la chambre de réaction, notre demi-lune inférieure en graphite ultra pur n'entre pas directement en contact avec les plaquettes, garantissant ainsi l'intégrité du processus.

Scénario d'application :

Notre demi-lune inférieure en graphite ultra pur sert de composant essentiel dans les chambres épitaxiales SiC, où elle aide à maintenir la teneur en impuretés en dessous de 5 ppm. En surveillant de près les paramètres tels que l’épaisseur et l’uniformité de la concentration de dopage, nous garantissons des couches épitaxiales de la plus haute qualité.

Compatibilité:

La demi-lune inférieure en graphite ultra pur de VeTek Semiconductor est compatible avec une large gamme de modèles d'équipement, notamment LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, etc.

Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine pour explorer par vous-même notre demi-lune inférieure en graphite ultra pur de haute qualité.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété	Valeur typique
Structure en cristal	Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité	3,21 g/cm³
Dureté	Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain	2~10μm
Pureté chimique	99,99995%
Capacité thermique	640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation	2700 ℃
Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
Module d'Young	Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique	300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)	4,5×10-6K-1

Atelier de production de semi-conducteurs VeTek

Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices :

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