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Fond du collecteur de revêtement SiC
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Fond du collecteur de revêtement SiC

Grâce à notre expertise dans la fabrication de revêtements CVD SiC, VeTek Semiconductor présente fièrement le fond du collecteur de revêtement Aixtron SiC. Ce fond collecteur de revêtement SiC est construit à partir de graphite de haute pureté et est recouvert de CVD SiC, garantissant une impureté inférieure à 5 ppm. N'hésitez pas à nous contacter pour plus d'informations et de demandes de renseignements.

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Description du produit

VeTek Semiconductor est un fabricant engagé à fournir un revêtement CVD TaC et un fond collecteur de revêtement CVD SiC de haute qualité et à travailler en étroite collaboration avec les équipements Aixtron pour répondre aux besoins de nos clients. Qu'il s'agisse d'optimisation de processus ou de développement de nouveaux produits, nous sommes prêts à vous fournir un support technique et à répondre à toutes vos questions.

Produits Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center et SiC Coating Collector Bottom. Ces produits sont l’un des composants clés utilisés dans les processus avancés de fabrication de semi-conducteurs.

La combinaison du Collector Top, du Collector Center et du Collector Bottom revêtus de SiC Aixtron dans les équipements Aixtron joue les rôles importants suivants :

Gestion thermique : Ces composants ont une excellente conductivité thermique et sont capables de conduire efficacement la chaleur. La gestion thermique est cruciale dans la fabrication de semi-conducteurs. Les revêtements SiC sur le dessus du collecteur, le centre du collecteur et le fond du collecteur recouvert de carbure de silicium aident à éliminer efficacement la chaleur, à maintenir des températures de processus appropriées et à améliorer la gestion thermique de l'équipement.

Inertie chimique et résistance à la corrosion : le dessus, le centre du collecteur et le fond du collecteur à revêtement SiC Aixtron ont une excellente inertie chimique et sont résistants à la corrosion chimique et à l'oxydation. Cela leur permet de fonctionner de manière stable dans des environnements chimiques difficiles pendant de longues périodes, fournissant ainsi une couche protectrice fiable et prolongeant la durée de vie des composants.

Prise en charge du processus d'évaporation par faisceau d'électrons (EB) : ces composants sont utilisés dans les équipements Aixtron pour prendre en charge le processus d'évaporation par faisceau d'électrons. La conception et la sélection des matériaux du collecteur supérieur, du centre collecteur et du fond collecteur à revêtement SiC permettent d'obtenir un dépôt de film uniforme et de fournir un substrat stable pour garantir la qualité et la cohérence du film.

Optimisation de l'environnement de culture du film : Collector Top, Collector Center et SiC Coating Collector Bottom optimisent l'environnement de culture du film dans les équipements Aixtron. L'inertie chimique et la conductivité thermique du revêtement contribuent à réduire les impuretés et les défauts et à améliorer la qualité cristalline et la consistance du film.

En utilisant le collecteur supérieur, le centre collecteur et le fond collecteur à revêtement SiC Aixtron, la gestion thermique et la protection chimique dans les processus de fabrication de semi-conducteurs peuvent être obtenues, l'environnement de croissance du film peut être optimisé et la qualité et la cohérence du film peuvent être améliorées. La combinaison de ces composants dans les équipements Aixtron garantit des conditions de processus stables et une production efficace de semi-conducteurs.


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure en cristal Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité 3,21 g/cm³
Dureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module d'Young Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5×10-6K-1


Chaîne industrielle :


Atelier de production


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