Centre de collecte de revêtements SiC

Le centre collecteur de revêtements SiC VeTek Semiconductor joue un rôle important dans la production du processus Semiconducor EPI. C'est l'un des composants clés utilisés pour la distribution et le contrôle du gaz dans une chambre de réaction épitaxiale. Bienvenue pour nous poser des questions sur le revêtement SiC et le revêtement TaC dans notre usine.

Le rôle du SiC Coating Collector Center est le suivant :

Distribution de gaz : SiC Coating Collector Center est utilisé pour introduire différents gaz dans la chambre de réaction épitaxiale. Il dispose de plusieurs entrées et sorties qui peuvent distribuer différents gaz aux emplacements souhaités pour répondre aux besoins spécifiques de croissance épitaxiale.

Contrôle des gaz : SiC Coating Collector Center réalise un contrôle précis de chaque gaz grâce à des vannes et des dispositifs de contrôle de débit. Ce contrôle précis du gaz est essentiel au succès du processus de croissance épitaxiale afin d'atteindre la concentration de gaz et le débit souhaités, garantissant ainsi la qualité et la cohérence du film.

Uniformité : La conception et la disposition de l’anneau central de collecte de gaz contribuent à obtenir une distribution uniforme du gaz. Grâce à un trajet d'écoulement de gaz et à un mode de distribution raisonnables, le gaz est uniformément mélangé dans la chambre de réaction épitaxiale, de manière à obtenir une croissance uniforme du film.

Dans la fabrication de produits épitaxiaux, SiC Coating Collector Center joue un rôle clé dans la qualité, l’épaisseur et l’uniformité du film. Grâce à une distribution et un contrôle appropriés du gaz, le centre collecteur de revêtement SiC peut assurer la stabilité et la cohérence du processus de croissance épitaxiale, afin d'obtenir des films épitaxiaux de haute qualité.

Comparé au centre collecteur en graphite, le centre collecteur revêtu de SiC présente une conductivité thermique améliorée, une inertie chimique améliorée et une résistance supérieure à la corrosion. Le revêtement en carbure de silicium améliore considérablement la capacité de gestion thermique du matériau graphite, conduisant à une meilleure uniformité de température et à une croissance constante du film dans les processus épitaxiaux. De plus, le revêtement fournit une couche protectrice qui résiste à la corrosion chimique, prolongeant ainsi la durée de vie des composants en graphite. Dans l'ensemble, le matériau graphite recouvert de carbure de silicium offre une conductivité thermique, une inertie chimique et une résistance à la corrosion supérieures, garantissant une stabilité améliorée et une croissance de film de haute qualité dans les processus épitaxiaux.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Chaîne industrielle :

Atelier de production