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Dessus du collecteur de revêtement SiC
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Dessus du collecteur de revêtement SiC

Bienvenue chez VeTek Semiconductor, votre fabricant de confiance de revêtements CVD SiC. Nous sommes fiers de proposer le revêtement collecteur Aixtron SiC, conçu de manière experte à partir de graphite de haute pureté et doté d'un revêtement CVD SiC de pointe avec une impureté inférieure à 5 ppm. N'hésitez pas à nous contacter pour toute question ou demande de renseignements

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Description du produit

Avec des années d'expérience dans la production de revêtements TaC et de revêtements SiC, VeTek Semiconductor peut fournir une large gamme de dessus de collecteur de revêtement SiC, de centre de collecteur et de fond de collecteur pour le système Aixtron. Le dessus collecteur de revêtement SiC de haute qualité peut répondre à de nombreuses applications. Si vous en avez besoin, veuillez obtenir notre service en ligne en temps opportun sur le dessus collecteur de revêtement SiC. En plus de la liste de produits ci-dessous, vous pouvez également personnaliser votre propre collecteur de revêtement SiC unique en fonction de vos besoins spécifiques.

Le dessus du collecteur de revêtement SiC, le centre du collecteur de revêtement SiC et le fond du collecteur de revêtement SiC sont les trois composants de base utilisés dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Discutons de chaque produit séparément :

VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Top joue un rôle crucial dans le processus de dépôt de semi-conducteurs. Il agit comme une structure de support pour le matériau déposé, aidant à maintenir l'uniformité et la stabilité pendant le dépôt. Il facilite également la gestion thermique, en dissipant efficacement la chaleur générée pendant le processus. Le dessus du collecteur assure la disposition et la répartition correctes du matériau déposé, ce qui entraîne une croissance constante et de haute qualité du film.

Le revêtement SiC sur le dessus, le centre et le fond du collecteur améliore considérablement leurs performances et leur durabilité. Le revêtement SiC (carbure de silicium) est connu pour son excellente conductivité thermique, son inertie chimique et sa résistance à la corrosion. Le revêtement SiC en haut, au centre et en bas du collecteur offre d'excellentes capacités de gestion thermique, garantissant une dissipation efficace de la chaleur et maintenant des températures de processus optimales. Il présente également une excellente résistance chimique, protégeant les composants des environnements corrosifs et prolongeant leur durée de vie. Les propriétés des revêtements SiC contribuent à améliorer la stabilité des processus de fabrication de semi-conducteurs, à réduire les défauts et à améliorer la qualité du film.


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure en cristal Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité 3,21 g/cm³
Dureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille d'un grain 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module d'Young Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5×10-6K-1


Chaîne industrielle :


Atelier de production


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