Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC est un accessoire important pour le four de croissance épitaxiale en silicium monocristallin, garantissant une pollution minimale et un environnement de croissance épitaxiale stable. Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek Semiconductor a une durée de vie ultra longue et offre une variété d'options de personnalisation. VeTek Semiconductor a hâte de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Le plateau épitaxial de silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek semiconductor est spécialement conçu pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin et joue un rôle important dans l'application industrielle de l'épitaxie de silicium monocristallin et des dispositifs semi-conducteurs associés.Revêtement SiCaméliore non seulement considérablement la résistance à la température et à la corrosion du plateau, mais garantit également une stabilité à long terme et d'excellentes performances dans des environnements extrêmes.
● Conductivité thermique élevée: Le revêtement SiC améliore considérablement la capacité de gestion thermique du plateau et peut disperser efficacement la chaleur générée par les appareils haute puissance.
● Résistance à la corrosion: Le revêtement SiC fonctionne bien dans les environnements à haute température et corrosifs, garantissant une durée de vie et une fiabilité à long terme.
● Uniformité de la surface: Fournit une surface plane et lisse, évitant efficacement les erreurs de fabrication causées par les irrégularités de la surface et assurant la stabilité de la croissance épitaxiale.
Selon les recherches, lorsque la taille des pores du substrat en graphite est comprise entre 100 et 500 nm, un revêtement à gradient de SiC peut être préparé sur le substrat en graphite, et le revêtement en SiC a une capacité anti-oxydation plus forte. la résistance à l'oxydation du revêtement SiC sur ce graphite (courbe triangulaire) est beaucoup plus forte que celle des autres spécifications de graphite, adaptée à la croissance de l'épitaxie de silicium monocristallin. Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek Semiconductor utilise du graphite SGL commesubstrat en graphite, qui est capable d’atteindre de telles performances.
Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek Semiconductor utilise les meilleurs matériaux et la technologie de traitement la plus avancée. Plus important encore, quels que soient les besoins des clients en matière de personnalisation des produits, nous pouvons faire de notre mieux pour y répondre.
Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité
3,21 g/cm³
Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Grains Size
2~10μm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPa RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5×10-6K-1